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電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學新一代半導體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術王浩宇上?？萍即髮W信息學院長聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University

《室溫1.04 mA/cm2峰值電流密度AlN/GaN雙勢壘共振隧穿二極管》作者：張赫朋，薛軍帥，張進成，郝躍單位：西安電子科技大學微電子學院

北京大學微電子學院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關硅基GaN MOSHEMT”新進展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術，在 優化的HEMT結構上實現了高性能的增強型GaN MOSHEMT。