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AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調(diào)制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛(wèi)國中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences

4H-SiC MOSFET中界面碳團(tuán)簇的形成和遷移率退化機(jī)理Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs張召富武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員ZHANG ZhaofuProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University

基于界面調(diào)控的垂直型GaN功率二極管研究楊樹浙江大學(xué)

《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所

《二維材料上氮化物半導(dǎo)體準(zhǔn)范德華外延界面調(diào)控研究》作者：劉放，王濤，張智宏，申彤，楊懷遠(yuǎn)，盛博文，榮新，陳兆營，劉開輝，李新征，沈波，王新強(qiáng)單位：北京大學(xué)

常州星宇車燈股份有限公司工程師李茹分享了熱界面材料的特性及其對LED車燈散熱和可靠性影響的研究成果，結(jié)合具體的研究實(shí)踐，她

桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院院長、教授楊道國帶來了題為電子封裝中界面層裂的仿真模擬與表征的報告，分享了該領(lǐng)域的最新研究成

大連理工大學(xué)王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的鈍化技術(shù)及電子性能”報告中介紹了缺陷到底是什么樣子，缺陷如何去鈍化以及進(jìn)一步的研究工作進(jìn)展。并把下一步的工作和進(jìn)一步實(shí)用化的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)業(yè)方向上的發(fā)展做了詳細(xì)介紹。并介紹了核心的鈍化技術(shù)，比較獨(dú)特，這個鈍化它的研究都是建立在它的物理技術(shù)之上，所以這個測試比較強(qiáng)。

德國英戈爾施塔特應(yīng)用技術(shù)大學(xué)Schmid MAXIMILIAN分享“新型瞬態(tài)熱分析試驗裝置分析LED燒結(jié)界面質(zhì)量”。他介紹說，在線可靠性分析，加速壽命測試或者現(xiàn)場測試在生產(chǎn)中變得越來越重要。因為器件失效與溫度相關(guān)，結(jié)殼熱阻是LED最重要的參數(shù)之一。常用的耐熱測量方法是瞬態(tài)熱分析（TTA）。但TTA非常耗時并且工作繁雜。討論了TTA的改進(jìn)。因此，開發(fā)并引入了新的測試設(shè)備。.....