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《面向長波長LED應用的石墨烯/SiC襯底上應變弛豫GaN薄膜的外延生長研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強，張寶林，張源濤單位：吉林大學電子科學與工程學院

《高靈敏石墨烯氮化鎵探測器》作者：胡安琪, 郭霞單位：北京郵電大學

《石墨烯驅動的應力工程實現用于深紫外LED的無應變AlN薄膜的高質量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院

【極智報告】明朔光電副總經理江維：基于石墨烯智慧路燈的道路大數據生態構建與運營

挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士、挪威Crayonano AS創始人兼首席技術官Helge WEMAN帶來以石墨烯為基底和透明電極的AlG

中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態以及研究成果。

挪威科學技術大學教授，挪威科學技術院院士Helge WEMAN帶來了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題

紫外LED因其在醫療、印刷、環境凈化等領域的廣闊應用前景，近年來市場份額日益增高。因紫外LED的高功率，出光率偏低的特性，散熱問題已經成為制約紫外LED發展應用的主要瓶頸之一。復旦大學副研究員劉盼分享了燒結銀芯片連接工藝與石墨烯覆銅基板對紫外LED封裝的熱模擬分析。劉盼2011年開發了可調制光捕捉表面，顯著提升了薄膜硅基太陽能電池效率。2012年至2016年，與荷蘭飛利浦照明緊密合作，共同研發了一款微縮體積照明封裝系統，

瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN帶來了關于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展，讓與會代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統上是通過石墨機械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰性。為此，化學氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發展。自2009年以來，在Chalmers我們已經在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應物，石墨烯通過商業直冷式Aixtron系統生長。通過濕化學法蝕刻銅或更環保的電化學氣泡分層，石墨烯可以轉移到