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報告中，他首先介紹了健康照明研發的重點以及十三五的光健康項目。他表示，要從光品質的特征與顯性健康的生理量表達出發，建立以視覺生理指標為主體的，涵蓋非視覺生物效應與顯性生理量的光健康人因學評價體系，解決半導體照明參數與人體健康之間的影響機制這一科學問題，構建客觀量化評價半導體照明的短、中、長期生理影響的研究路徑。 他提出健康照明的五大研究重點： 其一是光譜能量分布對于人的視覺、非視覺、腦功能、皮膚及代

浙江大學教授泮進明，結合實踐及案例，分享了養雞場LED的應用。他表示，我們需要把養殖場很多實際的條件，對防水、防灰塵、光的要求等總結出來，以便可以更好的應用實踐。

中國科學院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果?；谛脱趸壦a的一些器件在能源使用中發揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題，在自然能源不斷減少，價格不斷上升的背景下，我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當前在高電壓應用領域，包括高鐵和智能電網等，硅仍然是主導材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。

本期嘉賓華中科技大學教授、博士生導師陳明祥為大家分享《紫外/深紫外LED封裝技術與工藝研究》

2012年6月18日，中共中央政治局常委、國務院副總理李克強到中國科學院半導體所考察。了解半導體照明聯合創新國家重點實驗室產品研發和創新情況。

極智報告|日本理化所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報告|日本大阪大學高悅：銅顆粒燒結貼片連接SiC-MOSFET的長期可靠性研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報告推薦：中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導體功率模塊在新能源汽車中應用》主題報告。更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業學術報告任性看！

中科院半導體研究所的研究員總工程師伊曉燕分享了“氮化物納米線可控生長與器件應用展望”主題報告。 她表示，目前從芯片發展趨勢技術上來看，一個是性能的提升，可以用納米線的新的結構形式去考慮，從器件的結構上怎么樣提高性能。第二個芯片發展到這個階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應用空間，從應用的角度可以提出來對芯片的要求，我們可以根據應用設計出來全新結構的芯片結構形式，現在提的比較多的農業、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

北京康美特科技股份有限公司總工程師孫宏杰針對公司生產的SMC支架做了“大功率LED用SMC支架材料的研究現狀和發展趨勢”報告，報告指出康美特目前所具備的競爭優勢：一是樹脂的合成、純化；二是添加劑的合成以及配方工藝及質量控制方面的優勢。更多精彩報告，請關注下載極智頭條APP！

維信諾OLED顯示器先鋒立足中國，一直專注于OLED技術的發展和大規模生產OLED產品。維信諾高級技術研究院高級技術人員陳建平分享了“AMOLED顯示屏：技術現狀及應用”主題報告。他表示，2015年我們已經開始有批量生產的玻璃為基礎的剛性AMOLED面板。最近，我們已經取得了相當的技術進步為基礎的柔性基板AMOLED， G6代柔性AMOLED面板線2018年也將投產。

中國科學院半導體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術的集成框架研究報告。他表示，技術、成本和應用場景是照明與現實技術融合的關鍵因素。通過對光源技術發展的分析目前主要的照明技術與顯示技術的基本架構、控制難度和成本組成。給出了照明與現實技術融合的技術與成本條件。同時對照明與現實技術融合的應用場景進行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術適應更多樣化的需求以及顯示控制技術成本的降低，使得產品既能提供一定顯示功能，同時也能夠提供照明功能技術趨勢，它主要涉及到的技術內容可能包括廉價怎么降低成本

中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍光與綠光激光二極管的發展”報告時表示，對GaN基藍色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經引起人們的廣泛關注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應用的需求。我們提高了發光均勻性和減少基藍光LD結構面自支撐GaN襯底上生長GaN的內部損失。同質外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經實現了綠色激光器結構1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續波作用下，綠光LD的輸出功率為

耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結構組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結構中的光學限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結構中，實現了光激射的VCSE

中國科學院半導體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質外延”研究報告；他介紹說，石墨烯緩沖層氮化物異質外延，初步實現了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優先成核位置。我們在石墨烯上來進行一個類似納米柱上的生長，做了一些研究，通過調整晶核生長得到納米柱的結構，在圖形化的襯底上也長出來一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因為石墨烯是單純的材料，石墨烯生長會受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數變多會有一定的紊亂，加氮受到襯底的

瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN帶來了關于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展，讓與會代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統上是通過石墨機械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰性。為此，化學氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發展。自2009年以來，在Chalmers我們已經在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應物，石墨烯通過商業直冷式Aixtron系統生長。通過濕化學法蝕刻銅或更環保的電化學氣泡分層，石墨烯可以轉移到

南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細介紹了器件技術與制造工藝 、MMIC設計、MMIC的表征等內容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結構上制備了柵長100nm的“T”型柵結構以及最新成果。 吳少兵一直從事固態微波毫米波器件的研發工作。作為項目負責人，主持開發了基于0.1um G

中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關于解決InAlN/GaN異質結場效應晶體管（HFETs）應用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現任中國電子科技集團公司首席專家，國際電工技術標準委員會專家，研究方向為太赫茲固態電子器件、先進半導體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會帶來比較高的功率，相比其他一些結構更加優化，也有很多應用。人們希望可以將氮化鎵應用到5G等領域，希望增加輸出功率。結合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號而降低

西安電子科技大學副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結構的研究報告。

廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川分享了關于Ga2O3薄膜的光學和結構特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導體研發已二三十年, 至今編輯出版了半導體及顯微結構，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態照明及LED 領域的11-本英文專著，