徐科:氮化鎵單晶材料
3710
蔣科:寬禁帶氮化物半
1120
朱海:寬禁帶半導體微
920
陸文強:一維ZnGa2O4
460
張文輝:升華法生長β
1090
陳凱:基于MPCVD法異
2190
穆文祥:氧化鎵單晶生
780
湯瀟:全溶液法沉積柔
1840
張逸韻:高溫氣氛退火
890
唐寧:氮化鎵量子阱中
1740
徐童齡:基于NiO/β-
680
張亞民:基于脈沖信號
840
劉紅輝:光照下AlGaN/
1700
陳鵬:GaN基肖特基功
3130
吳帆正樹:碳化硅溝槽
1260
葉建東:氧化鎵基雙極
3600
李忠輝:新型Al(Ga)N/
2130
李天義:SiC紫外單光
1690
楊偉鋒:碳化硅(4H-Si
3580
何云斌:ZnO多元合金
1750