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【芯友薈】對話爍科晶體總經理李斌，解鎖爍科晶體核心競爭力及大尺寸碳化硅襯底最新技術與產業發展思考！

基于InGaN基硅襯底Micro-LED的多色集成轉移印刷技術Transfer printing technology based on InGaN-based silicon substrate micro-LEDs for multicolor integration田朋飛復旦大學副教授TIAN Pengfei Associate Professor of Fudan University

1200V級硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書萌，劉建勛，孫秀建，孫錢*，楊輝中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

《硅襯底GaN基激光器研究進展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術的最新進展》技術報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術的最新進展。

【極智課堂】晶能光電王瓊： 硅襯底UV LED技術與應用