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  • 【視頻報(bào)告 2018】P.S
    高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】周
    美國倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】香
    矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠渲饕蕾囉陔p向開關(guān)而幾乎不需要其他被動(dòng)組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級(jí)的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進(jìn)功率器件封裝的應(yīng)用將帶來新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報(bào)告，報(bào)告中回顧矩陣轉(zhuǎn)
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】臺(tái)
    【極智報(bào)告】臺(tái)灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2019】晶
    【極智課堂】晶能光電王瓊： 硅襯底UV LED技術(shù)與應(yīng)用
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    limit2021-04-29 11:00
  • 【視頻報(bào)告 2019】河
    河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報(bào)告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴(kuò)展，并揭示了器件機(jī)理；此外，針對(duì)GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種
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    limit2021-04-29 10:46
  • 【視頻報(bào)告 2019】蘇
    報(bào)告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場總監(jiān)朱丹丹博士 報(bào)告主題：《針對(duì)大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》
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    limit2021-04-29 10:26
  • 【視頻報(bào)告】英諾賽科
    英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩
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    limit2021-04-26 15:05
  • 【視頻報(bào)告 2019】天
    報(bào)告嘉賓：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)劉春俊博士 報(bào)告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產(chǎn)業(yè)進(jìn)展》
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    limit2020-03-19 10:27
  • 【視頻報(bào)告】俄羅斯ST
    碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia
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    limit2020-03-10 15:45
  • 【視頻報(bào)告】廈門大學(xué)
    報(bào)告簡介單晶4H型碳化硅臺(tái)階生長機(jī)理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門大學(xué)副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
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    limit2020-03-08 10:21
  • 美國NAURA-Akrion, In
    美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進(jìn)化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對(duì)惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對(duì)于襯底的選擇性。對(duì)于過去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因?yàn)槠浠瘜W(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型
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    limit2019-12-31 13:02
  • 英諾賽科科技有限公司
    英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩
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    limit2019-12-31 12:38
  • 英諾賽科研發(fā)中心副總
    英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告
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    limit2019-12-30 13:03
  • Victor VELIADIS教授
    2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市
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    limit2018-12-01 12:43
  • |香港應(yīng)科院高級(jí)經(jīng)理
    極智報(bào)告|香港應(yīng)用科技研究院有限公司高級(jí)經(jīng)理劉學(xué)超：碳化硅MOSFET在新能源汽車中的應(yīng)用報(bào)告。更多專業(yè)報(bào)告，點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP.
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    limit2018-11-30 12:45
  • 極智報(bào)告|河北工業(yè)大
    河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶帶來則介紹了量子點(diǎn)用于固態(tài)照明的量子點(diǎn)硅脂納米復(fù)合材料。更多精彩報(bào)告，請關(guān)注下載極智頭條APP！
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    limit2017-12-31 10:16
  • 【極智課堂】李士顏：
    今天極智課堂邀請到中國電子科技集團(tuán)第五十五研究所李士顏博士，分享《從特斯拉用碳化硅代替IGBT說起——碳化硅功率器件之新能源汽車應(yīng)用及展望》主題報(bào)告
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    limit2025-05-03 10:50
  • 極智報(bào)告|Burkhard SL
    德國 ALLOS semiconductors GmbH 總裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精確應(yīng)變控制和優(yōu)異發(fā)射均勻性的200mm硅基鎵氮LED外延片”報(bào)告。他表示，精準(zhǔn)的應(yīng)變控制對(duì)硅基鎵氮的晶圓，能夠通過結(jié)合形成中間層來獲得，能夠讓我們有精確的應(yīng)變控制，之前產(chǎn)業(yè)是沒有想象過的，能夠讓我們實(shí)現(xiàn)剛剛說的五大特點(diǎn)。問題是什么？ 副作用是什么？我們看沒有幅面的作用，對(duì)于我們生產(chǎn)來說是完全可以實(shí)現(xiàn)的。
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    limit2025-05-03 10:50
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