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高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進展》技術(shù)報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術(shù)的最新進展。

美國倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；

矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因為其主要依賴于雙向開關(guān)而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應(yīng)用將帶來新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉(zhuǎn)

【極智報告】臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案

【極智課堂】晶能光電王瓊： 硅襯底UV LED技術(shù)與應(yīng)用

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種

報告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場總監(jiān)朱丹丹博士 報告主題：《針對大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

報告嘉賓：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)劉春俊博士 報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產(chǎn)業(yè)進展》

碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia

報告簡介單晶4H型碳化硅臺階生長機理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門大學(xué)副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University

美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因為其化學(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報告

2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市

極智報告|香港應(yīng)用科技研究院有限公司高級經(jīng)理劉學(xué)超：碳化硅MOSFET在新能源汽車中的應(yīng)用報告。更多專業(yè)報告，點擊頁面頂端下載極智頭條APP.

河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶帶來則介紹了量子點用于固態(tài)照明的量子點硅脂納米復(fù)合材料。更多精彩報告，請關(guān)注下載極智頭條APP！

今天極智課堂邀請到中國電子科技集團第五十五研究所李士顏博士，分享《從特斯拉用碳化硅代替IGBT說起——碳化硅功率器件之新能源汽車應(yīng)用及展望》主題報告

德國 ALLOS semiconductors GmbH 總裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精確應(yīng)變控制和優(yōu)異發(fā)射均勻性的200mm硅基鎵氮LED外延片”報告。他表示，精準(zhǔn)的應(yīng)變控制對硅基鎵氮的晶圓，能夠通過結(jié)合形成中間層來獲得，能夠讓我們有精確的應(yīng)變控制，之前產(chǎn)業(yè)是沒有想象過的，能夠讓我們實現(xiàn)剛剛說的五大特點。問題是什么？ 副作用是什么？我們看沒有幅面的作用，對于我們生產(chǎn)來說是完全可以實現(xiàn)的。