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李天義：SiC紫外單光
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李天義：SiC紫外單光
《SiC紫外單光子探測器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-07 10:26
劉興華：基于牛眼結構
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劉興華：基于牛眼結構
《基于牛眼結構微腔的碳化硅單光子發射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學深圳研究院，南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-07 10:24
楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
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楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測器研究現狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學電子科學與技術學院（國家示范性微電子學院）微電子與集成電路系，廈門大學物理科學與技術學院物理系
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limit2022-01-07 10:23
王蓉：半導體碳化硅材
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王蓉：半導體碳化硅材
《半導體碳化硅材料中位錯的基本性質研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學杭州國際科創中心，浙江大學硅材料國家重點實驗室和材料科學與工程學院
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limit2022-01-06 10:21
皮孝東：半導體碳化硅
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皮孝東：半導體碳化硅
《半導體碳化硅晶圓生長和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室
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limit2022-01-05 17:02
【視頻報告 2018】株
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【視頻報告 2018】株
株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業部副總經理研發中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術報告；
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limit2021-04-29 12:27
【視頻報告 2018】Ado
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【視頻報告 2018】Ado
瑞典Ascatron AB 首席技術官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調制》技術報告；
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limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】P.S
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【視頻報告 2018】P.S
高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術的最新進展》技術報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術的最新進展。
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limit2021-04-29 12:25
【視頻報告 2018】周
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【視頻報告 2018】周
美國倫斯勒理工學院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩健性》；
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limit2021-04-29 12:25
【視頻報告 2018】香
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【視頻報告 2018】香
矩陣轉換器被認為是一種最優異的交流-交流功率轉換結構，因為其主要依賴于雙向開關而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉換效率，而且可以突破傳統的通用逆變器所存在的開關切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應用將帶來新一代矩陣轉換器的重大發展與變革。香港應用科技研究院功率器件組總監袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉
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limit2021-04-29 12:25
【視頻報告 2019】河
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【視頻報告 2019】河
河北工業大學教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結果。研究通過極化調制、摻雜調控等手段適當調節載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統探究了各種
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limit2021-04-29 10:46
美國Aymont Technolog
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美國Aymont Technolog
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limit2020-03-19 11:29
【視頻報告 2019】天
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【視頻報告 2019】天
報告嘉賓：北京天科合達半導體股份有限公司副總經理兼技術總監劉春俊博士報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產業進展》
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limit2020-03-19 10:27
【視頻報告】俄羅斯ST
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【視頻報告】俄羅斯ST
碳化硅生長和襯底建模以及基于MOVPE技術的氮化鎵生長模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia
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limit2020-03-10 15:45
【視頻報告】廈門大學
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【視頻報告】廈門大學
報告簡介單晶4H型碳化硅臺階生長機理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門大學副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
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limit2020-03-08 10:21
美國NAURA-Akrion, In
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美國NAURA-Akrion, In
美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學濃度控制技術的研究成果。在傳統的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發現碳化硅（SiC）因為其化學性質比較惰性已經可以作為傳統批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應用中可以使用典型
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limit2019-12-31 13:02
Victor VELIADIS教授
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Victor VELIADIS教授
2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創芯聚智共享生態為主題，吸引了來自海內外半導體照明，第三代半導體及相關領域的專家學者、企業領袖、行業機構領導以及相關政府官員的積極參與，共同論道產業發展。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市
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limit2018-12-01 12:43
|香港應科院高級經理
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|香港應科院高級經理
極智報告|香港應用科技研究院有限公司高級經理劉學超：碳化硅MOSFET在新能源汽車中的應用報告。更多專業報告，點擊頁面頂端下載極智頭條APP.
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limit2018-11-30 12:45
【極智課堂】李士顏：
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【極智課堂】李士顏：
今天極智課堂邀請到中國電子科技集團第五十五研究所李士顏博士，分享《從特斯拉用碳化硅代替IGBT說起——碳化硅功率器件之新能源汽車應用及展望》主題報告
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limit2025-05-02 18:28
極智報告|國家電網全
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極智報告|國家電網全
所有的技術都有一個發展過程，尤其對于電網來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網當中的應用。其中對電網整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內國際進展進行了細致介紹。他表示，預期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應當是可以達到應用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應該可以達到應用水平，這樣來說對電網的預期是整
21600
limit2025-05-02 18:28

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