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高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展Research Progress of High Power Wide Band-gap Semiconductor RF Devices張進成西安電子科技大學副校長、教授ZHANG JinchengVice PresidentProfessor of Xidian University

AlN基高壓高頻功率器件研究進展及挑戰Research Progress and Application Prospect ofAlNSingle Crystal Materials周弘西安電子科技大學教授ZHOUHongProfessor at Xidian University

雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學Wang PengfeiXidian University

用于高像素密度顯示器的高效率Micro-LED和納米LEDHigh efficiency micro-LEDs and nano-LEDs for displays with high pixel density劉先河西安電子科技大學廣州研究院教授LIU XianheProfessor of Guangzhou Institute of Technology of Xidian University

SiC等離子體波脈沖功率器件與應用研究Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications孫樂嘉西安電子科技大學副教授SUN LejiaAssociate Professor of Xidian University

MPCVD法金剛石同質外延生長及MOS器件技術Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology張金風西安電子科技大學教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University

氧化鎵異質結功率晶體管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韓根全西安電子科技大學教授HAN GenquanProfessor of Xidian University

氧化鎵功率器件耐壓和功率優值的研究Research on Voltage Withstandand Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices張進成西安電子科技大學副校長、教授（團隊代講）

中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授帶來了超寬禁帶半導體器件與材料的若干新進展 的主題報告；中科院外籍院士、中國科學院北京納米能源與系統研究所王中林院士帶來了第三代半導體中的壓電電子學與壓電光電子學的主題報告；廈門大學校長張榮教授介紹了氮化物半導體基 Micro-LED顯示技術新進展；大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛生安全 的主題報告。幾大精彩主題報告，從技

勢壘可調、位錯免疫凹槽陽極氮化鎵肖特基二極管研究張進成*，黨魁，周弘，張濤，趙勝雷，毛維，郝躍西安電子科技大學

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學微電子學院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大

西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導率極高，抗輻照等優點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學窗口，量子信息等領域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質外延的生長方法。她表示，實現室溫下高電離率的體摻

西安電子科技大學微電子學院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實現及給應用帶來的優勢

西安電子科技大學副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結構的研究報告。