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  • 深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代
    超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore
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    IFWS2025-01-09 14:02
  • 思體爾軟件副總經(jīng)理付
    超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵及金剛石的晶體生長模擬研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經(jīng)理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.
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    guansheng2023-05-19 14:47
  • 中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研
    超寬禁帶六方氮化硼二維原子晶體及其光電器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices張興旺中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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    guansheng2023-05-19 14:21
  • 西安電子科技大學(xué)郝躍
    中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)郝躍教授帶來了超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進(jìn)展 的主題報(bào)告;中科院外籍院士、中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來了第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的主題報(bào)告;廈門大學(xué)校長張榮教授介紹了氮化物半導(dǎo)體基 Micro-LED顯示技術(shù)新進(jìn)展;大會(huì)主席、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 的主題報(bào)告。幾大精彩主題報(bào)告,從技
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    guansheng2022-09-10 15:38
  • 郝躍: 寬禁帶與超寬
    寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體電子器件若干新進(jìn)展 郝躍 院士 西安電子科技大學(xué)
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    limit2022-01-10 13:08
  • 龍世兵:超寬禁帶氧化
    《超寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件和光電探測器》作者:龍世兵,徐光偉,趙曉龍,孫海定單位:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
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    limit2022-01-05 17:12
  • 【極智課堂】西安電子
    西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了題為金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展的主題報(bào)告。她介紹說,金剛石屬于新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大,耐擊穿,載流子遷移率高,熱導(dǎo)率極高,抗輻照等優(yōu)點(diǎn)。在熱沉,大功率、高頻器件,光學(xué)窗口,量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。報(bào)告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長方法。她表示,實(shí)現(xiàn)室溫下高電離率的體摻
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    limit2020-02-01 16:23
  • 日本國立佐賀大學(xué)電氣
    日本國立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長和特性的主題報(bào)告。郭其新主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征,同步輻射光應(yīng)用研究。報(bào)告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導(dǎo)體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED,其驅(qū)動(dòng)電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時(shí),還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的
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    limit2020-02-01 16:22
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