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4H-SiC MOSFET中界面碳團簇的形成和遷移率退化機理Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs張召富武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員ZHANG ZhaofuProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University

利用泵浦-探測瞬態(tài)反射顯微技術(shù)測定立方砷化硼的高雙極性遷移率High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy劉新風(fēng)國家納米科學(xué)中心研究員,中科院納米標(biāo)準(zhǔn)與檢測重點實驗室副主任LIU XinfengProfessor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences

鈣鈦礦中離子遷移的實時觀測及其對LED及電池器件穩(wěn)定性的影響研究Real-time Observation of Ion Migration in Perovskite LED and Its Influence on Device Stability李澄廈門大學(xué)微電子與集成電路系副主任 副教授LI ChengAssociate Professor, Department of Microelectronics and Integrated Circuits, Xiamen University

《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學(xué)智能工程學(xué)院

西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴展技術(shù)實現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大