極智報(bào)告|中國(guó)電子科中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關(guān)于解決InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HFETs）應(yīng)用的漏電大和可靠性差的瓶頸問(wèn)題方法的研究成果。馮志紅研究員現(xiàn)任中國(guó)電子科技集團(tuán)公司首席專(zhuān)家，國(guó)際電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)專(zhuān)家，研究方向?yàn)樘掌澒虘B(tài)電子器件、先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件。
其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會(huì)帶來(lái)比較高的功率，相比其他一些結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，也有很多應(yīng)用。人們希望可以將氮化鎵應(yīng)用到5G等領(lǐng)域，希望增加輸出功率。結(jié)合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號(hào)而降低
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