亚洲AV无码专区亚洲AV紧身裤,国产成人啪精品免费观看,日韩网站免费

首頁(yè) > 視頻 > 搜索

王蓉：半導(dǎo)體碳化硅材
1170
王蓉：半導(dǎo)體碳化硅材
《半導(dǎo)體碳化硅材料中位錯(cuò)的基本性質(zhì)研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心，浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和材料科學(xué)與工程學(xué)院
11700
limit2022-01-06 10:21
寧?kù)o：范德華外延氮化
2490
寧?kù)o：范德華外延氮化
《范德華外延氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)與光電集成》作者：寧?kù)o，張進(jìn)成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
24900
limit2022-01-06 10:19
劉清：基于SiC厚膜的
1030
劉清：基于SiC厚膜的
《基于SiC厚膜的極低漏電高靈敏度室溫軟X射線探測(cè)器》作者：劉清，徐尉宗，羊群思，周東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
10300
limit2022-01-06 10:17
李強(qiáng)：hBN薄膜的磁控
870
李強(qiáng)：hBN薄膜的磁控
《hBN薄膜的磁控濺射制備及器件應(yīng)用》作者：李強(qiáng)，張啟凡，張浩然，王茗迪，云峰單位：西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
8700
limit2022-01-06 10:12
席鑫：BiVO4和WO3異質(zhì)
1260
席鑫：BiVO4和WO3異質(zhì)
《BiVO4和WO3異質(zhì)結(jié)增強(qiáng)GaN在光解水中的性能》作者：席鑫，陳志忠單位：北京大學(xué)
12600
limit2022-01-06 10:10
李萬(wàn)俊：超寬帶隙氧化
2200
李萬(wàn)?。撼瑢拵堆趸?/a>
《超寬帶隙氧化鎵材料及其日盲深紫外探測(cè)器研究》作者：李萬(wàn)俊，劉浩文，周樹(shù)仁，黃利娟，胡鄭蕊，張紅，熊元強(qiáng)，李泓霖，葉利娟單位：重慶師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院，光電功能材料重慶市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
22000
limit2022-01-06 10:08
Xu Li：High valley p
1790
Xu Li：High valley p
High valley polarization in monolayer WS2 on AlGaNAuthor：Xu Li，Xinlong Zeng，Zhiming Wu，Yaping Wu，Junyong KangInstitute：Department of Physics, Xiamen University
17900
limit2022-01-05 17:45
歐欣：異質(zhì)集成氧化鎵
1770
歐欣：異質(zhì)集成氧化鎵
《異質(zhì)集成氧化鎵材料與器件》作者：徐文慧，王軼博，游天桂，胡浩東，韓根全，歐欣單位：中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，西安電子科技大學(xué)
17700
limit2022-01-05 17:43
方志來(lái)：P型氮摻雜β-
2890
方志來(lái)：P型氮摻雜β-
《P型氮摻雜-氧化鎵材料與器件初探》作者：方志來(lái)單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院，復(fù)旦大學(xué)光電研究院，工程與應(yīng)用技術(shù)研究院
28900
limit2022-01-05 17:41
黃洪：?jiǎn)尉а趸壣钭?/p>
3140
黃洪：?jiǎn)尉а趸壣钭?/a>
《單晶氧化鎵深紫外探測(cè)器》作者：趙曉龍，穆文祥，賈志泰，徐光偉，胡芹，黃洪，陶緒堂，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)，山東大學(xué)
31400
limit2022-01-05 17:38
黎明鍇：基于二氧化錫
2370
黎明鍇：基于二氧化錫
《基于二氧化錫的紫外光電探測(cè)器研究》作者：黎明鍇，劉伯涵，肖興林，魏皓然，劉鳳新，李強(qiáng)，張興業(yè)，陳粵，何云斌單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
23700
limit2022-01-05 17:27
吳征遠(yuǎn)：極高響應(yīng)度與
1810
吳征遠(yuǎn)：極高響應(yīng)度與
《極高響應(yīng)度與增益帶寬積的p型氧化鎵日盲探測(cè)器》作者：吳征遠(yuǎn)，蔣卓汛，馬聰聰，張浩，葉建東，張國(guó)旗，康俊勇，張統(tǒng)一，方志來(lái)單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院、工程與應(yīng)用技術(shù)研究院、南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、廈門(mén)大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院上海大學(xué)材料基因組工程研究院
18100
limit2022-01-05 17:22
程其進(jìn)：氧化鎵基日盲
2480
程其進(jìn)：氧化鎵基日盲
《氧化鎵基日盲紫外光電探測(cè)器的制備及特性研究》作者：程其進(jìn)，徐翔宇, 陳文山，龔彧亨，陳文澄，張洪良單位：廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，廈門(mén)大學(xué)化學(xué)與化學(xué)學(xué)院
24800
limit2022-01-05 17:20
劉增：Strategies of
2110
劉增：Strategies of
Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors作者：李山，晏祖勇，劉增，唐為華單位：北京郵電大學(xué)理學(xué)院，南京郵電大學(xué)電子與光學(xué)工程學(xué)院、微電子學(xué)院
21100
limit2022-01-05 17:14
龍世兵：超寬禁帶氧化
3430
龍世兵：超寬禁帶氧化
《超寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件和光電探測(cè)器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
34300
limit2022-01-05 17:12
朱昱豪：基于氮化鎵金
2680
朱昱豪：基于氮化鎵金
《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學(xué)智能工程學(xué)院
26800
limit2022-01-05 17:11
汪洋：半導(dǎo)體用SiC涂
1650
汪洋：半導(dǎo)體用SiC涂
《半導(dǎo)體用SiC涂層石墨托盤(pán)的制備與國(guó)產(chǎn)化》作者：汪洋，萬(wàn)強(qiáng)單位：湖南德智新材料有限公司，南京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
16500
limit2022-01-05 17:09
皮孝東：半導(dǎo)體碳化硅
1510
皮孝東：半導(dǎo)體碳化硅
《半導(dǎo)體碳化硅晶圓生長(zhǎng)和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
15100
limit2022-01-05 17:02
袁昊：萬(wàn)伏級(jí)4H-SiC基
2190
袁昊：萬(wàn)伏級(jí)4H-SiC基
《萬(wàn)伏級(jí)4H-SiC基IGBT器件設(shè)計(jì)與制備技術(shù)》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學(xué)，中國(guó)人民解放軍空軍工程大學(xué)
21900
limit2022-01-05 17:00
陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
4470
陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
《面向復(fù)雜電氣應(yīng)用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
44700
limit2022-01-05 16:58