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化夢(mèng)媛：常關(guān)型 GaN P
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化夢(mèng)媛：常關(guān)型 GaN P
《常關(guān)型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機(jī)理及閾值電壓穩(wěn)定性》作者：化夢(mèng)媛，李玲玲，王成財(cái)，姜作衡單位：南方科技大學(xué)
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limit2022-01-05 16:54
馬騁：硅基氮化鎵外延
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馬騁：硅基氮化鎵外延
《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機(jī)理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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limit2022-01-05 16:53
朱廣潤(rùn)：微波毫米波器
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朱廣潤(rùn)：微波毫米波器
《GaN微波毫米波器件新進(jìn)展》作者：張凱，朱廣潤(rùn)，代鯤鵬，賈晨陽(yáng)，房柏彤，李傳浩，周浩，孫巖，吳立樞，程鈺杰，王偉凡，李忠輝，陳堂勝單位：南京電子器件研究所，南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
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limit2022-01-05 16:51
劉建勛：大尺寸硅基Ga
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劉建勛：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長(zhǎng)研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢(qián)，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
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limit2022-01-05 16:49
馬曉華：面向終端應(yīng)用
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馬曉華：面向終端應(yīng)用
《面向終端應(yīng)用的GaN射頻芯片研究》作者：馬曉華代講：祝杰杰單位：西安電子科技大學(xué)
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limit2022-01-05 16:45
馮志紅：氮化鎵高功率
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馮志紅：氮化鎵高功率
《氮化鎵高功率太赫茲源》作者：馮志紅單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
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limit2022-01-05 16:38
蔣迪：金屬雙面鏡高性
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蔣迪：金屬雙面鏡高性
《金屬雙面鏡高性能表面等離激元激光器及其物理機(jī)制的研究》作者：蔣迪，陶濤，智婷，劉斌，張榮，鄭有炓單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、南京郵電大學(xué)
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limit2022-01-05 16:08
梁鋒：GaN基大功率藍(lán)
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梁鋒：GaN基大功率藍(lán)
《GaN基大功率藍(lán)光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-05 16:06
劉建平：大功率氮化鎵
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劉建平：大功率氮化鎵
《大功率氮化鎵激光器研究進(jìn)展》作者：劉建平單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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limit2022-01-05 15:57
云峰：Lasing charact
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云峰：Lasing charact
Lasing characteristics of GaN-based whispering gallery mode optical microcavityAuthor/作者：Feng Yun（云峰）, Peng Hu（胡朋）,Yufeng Li（李虞鋒）, Qiang Li（李強(qiáng)）,Ye Zhang(張燁)Institute：Shaanxi Provincial Key Laboratory of PhotonicsInformation Technology, Xian Jiaotong University
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limit2022-01-05 15:49
孫錢(qián)：硅襯底GaN基激
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孫錢(qián)：硅襯底GaN基激
《硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢(qián)，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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limit2022-01-05 15:36
趙德剛：GaN材料碳雜
1840
趙德剛：GaN材料碳雜
《GaN材料碳雜質(zhì)行為與激光器研究進(jìn)展》作者：趙德剛單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
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limit2022-01-05 15:33
呂澤升：High Perform
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呂澤升：High Perform
High Performance InGaN/GaN Visible-light Photodetectors using Polarization-induced p-type Doping作者：呂澤升，郭瑤，寥鐘
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limit2022-01-05 13:26
李思哲：用于Micro LE
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李思哲：用于Micro LE
《用于Micro LED驅(qū)動(dòng)的ZnO短溝道薄膜晶體管》作者：李思哲，陳雪，吳昊，劉昌單位：武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)教育部
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limit2022-01-05 13:24
龔政：氮化鎵基Micro-
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龔政：氮化鎵基Micro-
《氮化鎵基Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移及紅光芯片進(jìn)展》作者：龔政單位：廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-05 13:22
程凱：新型GaN外延結(jié)
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程凱：新型GaN外延結(jié)
《新型GaN外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用》作者：程凱單位：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
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limit2022-01-05 13:18
劉斌：量子點(diǎn)/氮化物
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劉斌：量子點(diǎn)/氮化物
《量子點(diǎn)/氮化物半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大
18900
limit2022-01-05 11:31
黃思溢：基于水平常壓
2550
黃思溢：基于水平常壓
《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長(zhǎng)與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)
25500
limit2022-01-05 11:27
余佳東：等離子體密度
2650
余佳東：等離子體密度
《等離子體密度對(duì)ICP-MOCVD生長(zhǎng)GaN薄膜的影響》作者：余佳東，羅毅，王健，張子軒，李翔，汪萊，郝智彪單位：北京信息科學(xué)與技術(shù)
26500
limit2022-01-05 11:25
趙見(jiàn)國(guó)：非極性(11-20
2620
趙見(jiàn)國(guó)：非極性(11-20
《非極性(11-20)面P型GaN和全組分InGaN的MOCVD生長(zhǎng)與研究》作者：趙見(jiàn)國(guó)，陳凱，胡文曉，宮毛高，劉斌，陶濤，謝自力，嚴(yán)羽，張
26200
limit2022-01-05 11:22