王蓉:半導體碳化硅材
1170
寧靜:范德華外延氮化
2490
劉清:基于SiC厚膜的
1030
李強:hBN薄膜的磁控
870
席鑫:BiVO4和WO3異質
1260
李萬俊:超寬帶隙氧化
2200
Xu Li:High valley p
1790
歐欣:異質集成氧化鎵
1770
方志來:P型氮摻雜β-
2890
黃洪:單晶氧化鎵深紫
3140
黎明鍇:基于二氧化錫
2370
吳征遠:極高響應度與
1810
程其進:氧化鎵基日盲
2480
劉增:Strategies of
2110
龍世兵:超寬禁帶氧化
3430
朱昱豪:基于氮化鎵金
2680
汪洋:半導體用SiC涂
1650
皮孝東:半導體碳化硅
1510
袁昊:萬伏級4H-SiC基
2190
陸海:面向復雜電氣應
4470