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《III族氮化物極性調控在光電子及電力電子器件中的新應用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春單位：中國科學院寧波材料技術與工程研究所，廈門大學

《基于III族氮化物的深紫外光電轉換器件的研究》作者：楚春雙，張勇輝，高元斌，杭升，黃福平，張紫輝單位：河北工業大學省部共建電工裝備可靠性與智能化國家重點實驗室，河北工業大學電子信息工程學院

《寬禁帶III族氮化物中點缺陷單光子發射的理論研究》作者：石芝銘，臧行，齊占斌，孫曉娟，黎大兵單位：中科院長春光學精密機械

中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾

北京大學劉放做了題為高質量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應用的研究成果。

耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結構組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結構中的光學限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結構中，實現了光激射的VCSE