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南京大學王海萍:基于
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南京大學王海萍:基于
基于增強型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍，游海帆，陳敦軍*，張榮，鄭有炓南京大學
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guansheng2022-09-01 12:16
中國科學院半導體研究
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中國科學院半導體研究
銻化物超晶格紅外探測器的MOCVD生長技術研究吳東海中國科學院半導體研究所
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guansheng2022-09-01 12:15
華中科技大學吳峰:基
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華中科技大學吳峰:基
基于寬禁帶半導體的深紫外發光與探測器件研究吳峰*，戴江南，陳長清華中科技大學
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guansheng2022-09-01 12:13
中科院長春光機所劉可
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中科院長春光機所劉可
寬禁帶氧化物半導體日盲紫外探測器及其在大氣臭氧檢測中的應用研究劉可為*，陳星，楊佳霖，韓冬陽，侯其超，申德振中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
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guansheng2022-09-01 12:06
太原理工大學崔艷霞:
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太原理工大學崔艷霞:
碳化硅基窄帶紫外光電探測器崔艷霞*，李夢輝，胡鯤，耿路路，潘登，李國輝，王文艷，許并社太原理工大學
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guansheng2022-09-01 12:05
北京大學孫棟: 基于拓
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北京大學孫棟: 基于拓
基于拓撲半金屬的高性能光電探測孫棟北京大學
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guansheng2022-09-01 12:04
南京大學陸海:寬禁帶
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南京大學陸海:寬禁帶
寬禁帶半導體紫外、極紫外及軟x射線探測器陸海*，張榮，鄭有炓南京大學
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guansheng2022-09-01 11:37
江蘇第三代半導體研究
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江蘇第三代半導體研究
GaN基Micro-LED同質外延及其性能表征王國斌*，閆其昂，周溯沅，李增林，蘇旭軍，劉宗亮，王建峰，徐科江蘇第三代半導體研究院有限公司中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司
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guansheng2022-09-01 11:36
中國科學院半導體研究
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中國科學院半導體研究
用于片上通信的日盲波段光電集成芯片何瑞，魏同波*，王軍喜，李晉閩中國科學院半導體研究所
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guansheng2022-09-01 11:35
南京大學莊喆：InGaN
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南京大學莊喆：InGaN
InGaN基紅光Micro-LED器件研究莊喆*，劉斌，張榮南京大學
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guansheng2022-09-01 11:34
復旦大學單心怡：單片
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復旦大學單心怡：單片
單片集成發光探測的深紫外micro-LED陣列光通信應用單心怡，田朋飛*，朱世杰，仇鵬江，錢澤淵，林潤澤，汪舟，崔旭高復旦大學
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guansheng2022-09-01 11:32
清華大學汪萊：GaN基
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清華大學汪萊：GaN基
GaN基高速藍綠光Micro-LED研究進展汪萊*，王磊，李振浩，郝智彪，羅毅清華大學
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guansheng2022-09-01 11:30
南京大學陶濤：面向可
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南京大學陶濤：面向可
面向可見光通信與傳感應用的微小尺寸LED器件研究劉斌*，許非凡，王彬，陶濤，田朋飛，王國斌，徐科，黃凱，張榮南京大學
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guansheng2022-09-01 11:26
北京大學陳兆營：面向
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北京大學陳兆營：面向
面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強*北京大學
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guansheng2022-09-01 11:23
張濤：MOCVD異質外延G
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張濤：MOCVD異質外延G
《MOCVD異質外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者：張濤，胡志國，程倩，馮倩，張雅超，張進成單位：西安電子科技大學微電子學院
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limit2022-01-06 11:39
黃思溢：基于水平常壓
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黃思溢：基于水平常壓
《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國科學
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limit2022-01-05 11:27
余佳東：等離子體密度
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余佳東：等離子體密度
《等離子體密度對ICP-MOCVD生長GaN薄膜的影響》作者：余佳東，羅毅，王健，張子軒，李翔，汪萊，郝智彪單位：北京信息科學與技術
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limit2022-01-05 11:25
趙見國：非極性(11-20
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趙見國：非極性(11-20
《非極性(11-20)面P型GaN和全組分InGaN的MOCVD生長與研究》作者：趙見國，陳凱，胡文曉，宮毛高，劉斌，陶濤，謝自力，嚴羽，張
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limit2022-01-05 11:22
【視頻報告 2018】德
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【視頻報告 2018】德
德國愛思強產品管理總監Jens VOIGT介紹了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解決方案》主題報告。他介紹說，愛思強的行星式反應器平臺是生產具有最高一致性、重復性和缺陷控制標準的化合物半導體器件的已建立的平臺，例如用VCSEL激光器證明的3D傳感器技術，這是當前高容量需求的關鍵驅動因素之一。同樣的要求組合也適用于Micro-LED技術：在低的缺陷水平下，結合外延層的高通量結構具有非常高的精度。行星式反應器平臺技術已經被
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limit2021-04-29 12:29
【視頻報告 2018】Kaz
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【視頻報告 2018】Kaz
特阿卜杜拉國王科技大學的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優化和反應器設計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內成功仿真AlGaN生長。考慮到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術使我們有可能優化氮化物MOCVD并設計升級反應器。
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limit2021-04-29 12:24

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