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Yogi Ota: Wide Bandg
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Yogi Ota: Wide Bandg
Wide Bandgap Semiconductor, RD History and Practical Knowledge Prof. Yogi Ota TKK Innovation Laboratory
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limit2022-01-13 09:56
邱宇峰：18 kV SiC IG
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邱宇峰：18 kV SiC IG
《18 kV SiC IGBT 的研制》邱宇峰廈門大學講座教授國家電網全球能源互聯(lián)網研究院
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limit2022-01-13 09:54
李晉閩：深紫外 LED
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李晉閩：深紫外 LED
《深紫外 LED 研發(fā)及產業(yè)化》李晉閩研究員中國科學院半導體研究所
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limit2022-01-13 09:52
徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
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徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
《碳化硅單晶襯底的研究進展及發(fā)展趨勢》徐現(xiàn)剛教授山東大學
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limit2022-01-11 17:24
沈波：高質量 AlN 單
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沈波：高質量 AlN 單
《高質量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波教授北京大學
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劉紀美：High perform
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劉紀美：High perform
High performance GaN vertical trench gate MOSFETs劉紀美教授香港科技大學
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王濤：Selective Epit
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王濤：Selective Epit
Selective Epitaxy: A direct epitaxy approach to achieve a monolithic on-chipintegration of LEDs and HEMTs for micro-display and VLC 王濤教授英國謝菲爾德大學
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郭浩中：新型 Micro-L
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郭浩中：新型 Micro-L
《新型 Micro-LED 在顯示與通信領域的應用》郭浩中教授臺灣交通大學
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limit2022-01-11 10:00
徐科：氮化鎵單晶材料
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徐科：氮化鎵單晶材料
《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科研究員中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
張榮：基于寬禁帶半導
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張榮：基于寬禁帶半導
基于寬禁帶半導體量子結構的物理效應與器件應用張榮教授廈門大學
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林科闖：大功率 GaN
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林科闖：大功率 GaN
大功率 GaN 藍綠激光器芯片設計、生長和制作林科闖總經理三安光電股份有限公司
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limit2022-01-10 13:09
郝躍：寬禁帶與超寬
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郝躍：寬禁帶與超寬
寬禁帶與超寬禁帶半導體電子器件若干新進展郝躍院士西安電子科技大學
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limit2022-01-10 13:08
Long Yan: Optimizati
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Long Yan: Optimizati
Optimization of AlGaN based UVC LED Structure at Prismo HiT3 Author: Long Yan, Jason Hu, Shangfeng Liu, Xinqiang Wang, Vincent Wang, Shiping Guo Institute: Advanced Micro-fabrication Equipment Inc. (China), Peking University
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limit2022-01-10 12:56
青年論壇圓桌對話
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青年論壇圓桌對話
青年論壇圓桌討論主持人：徐科特邀嘉賓：于坤山、林瑞梅、陸海、陳凱軒Topic 1：十四五規(guī)劃下，新型半導體材料的機遇與挑戰(zhàn)是什么：Topic 2：寬禁帶半導體前沿技術如何高效地產學融合？Topic 3：怎樣看待變革性技術中寬禁帶半導體的使命？
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limit2022-01-10 12:55
蔣科：寬禁帶氮化物半
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蔣科：寬禁帶氮化物半
《寬禁帶氮化物半導體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
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limit2022-01-10 11:08
黃火林：GaN基增強型H
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黃火林：GaN基增強型H
《GaN基增強型HEMT器件關鍵技術》作者：黃火林單位：大連理工大學光電工程與儀器科學學院
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俞冬雷：高效P型摻雜
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俞冬雷：高效P型摻雜
《高效P型摻雜鎂源特性及外延中應用優(yōu)劣分析》作者：俞冬雷, 徐昕，王偉，李強強，王宏波，鄭銳單位：安徽亞格盛電子新材料有限公司
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limit2022-01-10 10:57
梅洋：GaN基VCSEL技術
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梅洋：GaN基VCSEL技術
《GaN基VCSEL技術進展》作者：梅洋，許榮彬，應磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學電子科學與技術學院
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limit2022-01-10 10:40
孫瑞澤：全氮化鎵集成
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孫瑞澤：全氮化鎵集成
《全氮化鎵集成器件與電路的發(fā)展與挑戰(zhàn)》作者：孫瑞澤，劉超，陳萬軍，張波單位：電子科技大學電子薄膜與集成器件國家重點實驗室，電子科技大學四川省功率半導體技術工程研究中心
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吳挺竹：利用ALD技術
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吳挺竹：利用ALD技術
《利用ALD技術改善mini-LED的光電與通信性能》作者：盧霆威，賴壽強，潘建華，陳金蘭，黃岳，葉方順，郭浩中，陳忠，吳挺竹單位：廈門大學電子科學系，臺灣陽明交通大學光電工程學系
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limit2022-01-10 10:28

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