扣逼喷水视频,日日干日日操,麻豆播放器

首頁 > 視頻 > 搜索

哈爾濱工業大學（深圳
5590
哈爾濱工業大學（深圳
氧化鎵材料和電子器件的熱特性Thermal Characteristics of Ga2O3Materials and Electronic Devices孫華銳哈爾濱工業大學（深圳）教授，理學院副院長SUN HuaruiProfessor of Harbin Institute of Technology, Shenzhen
55900
IFWS2025-01-09 13:56
鎵和半導體李山:氧化
5580
鎵和半導體李山:氧化
氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究Research on PECVD Epitaxial Growth of Gallium Oxide and the Photoelectric Information Sensing Devices李山南京郵電大學副教授、蘇州鎵和半導體研發總監LI ShanAssociate Professor, Nanjing University of Posts and Telecommunications, RD director of Suzhou GAO Semiconductor Co. Ltd.
55800
IFWS2025-01-09 13:53
日本京都大學教授Naok
10790
日本京都大學教授Naok
太陽能衛星及相關波束無線電力傳輸技術的最新研發進展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大學教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan
107900
guansheng2023-05-22 15:27
西安電子科技大學王鵬
9610
西安電子科技大學王鵬
雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學Wang PengfeiXidian University
96100
guansheng2023-05-22 15:22
昂瑞微電子副總經理黃
10400
昂瑞微電子副總經理黃
國產突破，中國射頻前端產業引領5G 芯時代Domestic breakthrough, China's RF front-end industry leads the 5G Chip era黃鑫北京昂瑞微電子技術股份有限公司副總經理HUANG XinVice General Manager of Beijing OnMicro Electronics Co., Ltd.
104000
guansheng2023-05-22 15:21
山東大學新一代半導體
11120
山東大學新一代半導體
電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學新一代半導體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
111200
guansheng2023-05-22 15:20
中國電科十三所正高級
9910
中國電科十三所正高級
47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設計Design of 47GHz-52GHz Power Amplifier Chipset 杜鵬搏中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經理DUPengboSenior Engineer of Hebei Semiconductor Institute, Deputy General Manager of Hebei New North China Integrated Circuit Co., Ltd
99100
guansheng2023-05-22 15:19
南京理工大學副教授黃
11220
南京理工大學副教授黃
28GHz氮化鎵基時間調制波束成形系統28GHz GaN based time modulated beamforming system黃同德南京理工大學副教授HUANG TongdeAssociate Professor of Nanjing University of Science and Technology
112200
guansheng2023-05-22 15:18
能訊高能半導體副總裁
10770
能訊高能半導體副總裁
氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領域的創新GaN Driving innovation in 5G, RF Energy and beyond裴軼蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁PEI YiVice President of Dynax Semiconductor, Inc
107700
guansheng2023-05-22 15:17
復旦大學教授黃偉：寬
9380
復旦大學教授黃偉：寬
寬帶GaN毫米波新器件研究Research on Broadband GaN Millimeter Wave Devices黃偉復旦大學教授HUANG WeiProfessor of Fudan University
93800
guansheng2023-05-22 15:16
國博電子副總經理錢峰
8970
國博電子副總經理錢峰
5G移動通信用化合物器件研究Research on Compound Semiconductor Devices for 5G Mobile Communication錢峰南京國博電子股份有限公司副總經理QIAN FengDeputy General Manager of Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd
89700
guansheng2023-05-22 15:15
澳大利亞麥考瑞大學教
7820
澳大利亞麥考瑞大學教
Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact modelSourabh KHANDELWAL澳大利亞麥考瑞大學教授Sourabh KHANDELWALProfessor of Macquarie University, Australia
78200
guansheng2023-05-22 15:14
西交利物浦大學朱昱豪
7200
西交利物浦大學朱昱豪
35-5V單片集成GaN基DC-DC浮動降壓轉換器A 35-5 V Monolithic integrated GaN-based DC-DC Floating Buck Converter朱昱豪西交利物浦大學ZHU YuhaoXi'an Jiaotong-Liverpool University
72000
guansheng2023-05-22 15:14
中科院寧波材料所戴貽
6950
中科院寧波材料所戴貽
無等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設計與優化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴貽鈞中國科學院寧波材料技術與工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences
69500
guansheng2023-05-22 15:13
中科院蘇州納米所助理
7730
中科院蘇州納米所助理
功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
77300
guansheng2023-05-22 15:12
中國科學院北京納米能
10620
中國科學院北京納米能
AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛國中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
106200
guansheng2023-05-22 15:02
電子科技大學博士陳匡
8070
電子科技大學博士陳匡
p-GaN Gate HEMT器件閾值穩定性及其機理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陳匡黎電子科技大學博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China
80700
guansheng2023-05-22 15:02
美國弗吉尼亞理工大學
15540
美國弗吉尼亞理工大學
中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進展New Progress in Medium and High Voltage (1-10 kV) GaN Power Devices張宇昊美國弗吉尼亞理工大學助理教授ZHANG Yuhao Assistant Professor, Virginia Tech University
155400
guansheng2023-05-22 15:01
潤新微電子副總經理王
6690
潤新微電子副總經理王
后快充時代的氮化鎵功率器件產業化GaN Power Devices Beyond Adapter Applications王榮華潤新微電子（大連）有限公司副總經理WANG RonghuaVice General Manager of Runxin Microelectronics
66900
guansheng2023-05-22 15:00
加拿大滑鐵盧大學副教
9190
加拿大滑鐵盧大學副教
RecentProgressoftheMITVirtual-SourceGaNHEMT(MVSG)CompactModelLan WEI加拿大滑鐵盧大學副教授Lan WEIAssociate Professor of University of Waterloo, Canada
91900
guansheng2023-05-22 14:59

日本少妇无码精品12P_亚洲综合熟女久久久30p_精品av中文字幕在线毛片_精产国品自在线www_91视频-全网资源最全平台_午夜好爽好舒服免费视频

相關搜索