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東莞市中鎵半導體科技有限公司為中國國內首家專業(yè)生產氮化鎵（GaN）襯底材料的企業(yè)。公司經(jīng)營范圍包括設計、研發(fā)及產銷：半導體材料、器件、生產設備等。其創(chuàng)造性地采用MOCVD技術、激光剝離技術、HVPE技術相結合的方法，研發(fā)、生產產品包括：GaN半導體襯底材料，包括GaN襯底，GaN/Al2O3復合襯底，圖形化藍寶石襯底（PSS）；生產上述產品的設備，如激光剝離設備等。并對相應技術擁有自主知識產權，使企業(yè)在國內國際競爭中處于一個優(yōu)勢位置。

先普半導體技術(上海)有限公司是經(jīng)上海市認定的外資高新技術企業(yè)。公司引進國際先進的純化技術和設計生產理念，研發(fā)和生產各類終端氣體純化器與寬廣流量范圍的氣體純化設備。產品廣泛應用于電子，光電，光纖，光伏，化工，醫(yī)藥等領域。 公司自2004年成立以來，在充分掌握國際先進氣體純化核心技術的基礎上，通過不斷的研究創(chuàng)新，自主開發(fā)了十幾個系列上百種產品，純度可提供9N、7N兩種級別，其中壓力范圍從1.0MPa的常壓到24MPa的高壓，流量范圍從幾百毫升每分鐘到上萬立方米每小時。 先普的氣體純化產品既可以為晶體生長

　　青島精誠華旗微電子設備有限公司是專業(yè)的半導體工藝設備及先進材料專用設備研發(fā)、制造廠家。致力于為半導體、高新材料提供先進的專用設備，工藝涵蓋擴散、氧化、退火、合金、薄膜淀積（氮化硅、氧化硅、多晶硅等）、外延、燒結等工藝。精誠華旗擁有十幾年的專業(yè)研發(fā)制造經(jīng)驗、半導體工藝設備覆蓋一、二、三代半導體材料-硅、砷化鎵、氮化鎵等等。產品服務廣泛應用于行業(yè)內的大專院校、科研院所、半導體制造企業(yè)工廠等。主要產品有:4"-8"擴散爐系列,LPCVD系統(tǒng),PECVD系統(tǒng),VPE系統(tǒng),擴散爐爐體系列及真空爐系列。4"-8"

英國布魯內爾倫敦大學的John COSMAS教授，分享了“超市5G網(wǎng)絡Radio Light服務”報告。 他對寬帶家庭網(wǎng)絡解決方案以及用于超市的5G無線網(wǎng)絡照明服務應用的主要市場趨勢和需求做了介紹。5G無線光網(wǎng)絡（輸入/輸出寄存器裝入）超市，可以很容易地部署，因為它采用無可見光和毫米波頻譜的一部分，它是用來為購物者提供精確定位、互動架構，訪問互聯(lián)網(wǎng)和基于云的服務，如高分辨率視頻在平板電腦。 他還表示，此次來北京其中有一個目的就是找到一家公司能夠合作，找到適合的芯片，把這樣的一個解決方案實現(xiàn)了，而且是基

中國農業(yè)科學院農業(yè)環(huán)境與可持續(xù)發(fā)展研究所李濤做了LED在園藝生產中的智能應用的報告，分享了LED在設施園藝的主要應用、LED在花卉方面的應用、補光、遠紅光、UV LED等方面的研究成果。

華燦光電股份有限公司副總裁王江波在SSLCHINA2017“芯片、封裝與模組技術分會上做了“高光效LED照明及下一代LED顯示技術的發(fā)展與前景”的主題報告； 他表示，在過去20年當中，LED產業(yè)發(fā)展非常迅速，年負荷增長率做到了30%左右，尤其是在十二五期間，整個行業(yè)分成了上游、中游、下游，下游產業(yè)規(guī)模是最大的，中國現(xiàn)在已經(jīng)逐漸的變成世界上最大的LED芯片生產國家，現(xiàn)在基本上占有53%的整個市場的份額，一個產能的份額。 LED照明市場在2015年至2020年，預測接下來還會有一個接近10%的增長。背光方

SSLCHINA 2017之“生物農業(yè)光照技術”分會上，臺灣大學教授、臺灣植物工廠首席專家方煒介紹了用于高附加值作物生產的人工光植物工廠。他表示，植物工廠有很高的發(fā)展?jié)摿?，LED可以讓植物工廠發(fā)展的更好。

北京大學微電子學院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關硅基GaN MOSHEMT”新進展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術，在 優(yōu)化的HEMT結構上實現(xiàn)了高性能的增強型GaN MOSHEMT。

中國農業(yè)科學院北京畜牧獸醫(yī)研究所孫研研介紹了LED光譜對蛋雞生長發(fā)育和繁殖性能的影響主題報告。

該視頻為：中國科學院半導體研究所研究員、中國科學院大學崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學術報告。

該視頻為：日本大阪大學助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應力連接技術》報告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結微孔和鎢(W)薄膜的夾層結構。芯片粘連層被設計為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實現(xiàn)低應力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強度高達60Mpa，1000次熱循環(huán)（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結技術最有希望應用于高溫工作的低應力的SiC功率模塊。 第三代半導體材料主要包

該視頻為：超凡數(shù)據(jù)與咨詢事業(yè)部檢索業(yè)務高級總監(jiān)馬志勇主講的《SiC國際知名企業(yè)專利布局策略與競合動向》報告。 他表示：“研發(fā)者首先要注重和用專利，注意你的核心技術你的專利，要用拳頭保護咱們的產品。要用專利的挖掘與布局來保護我們的產品和研發(fā)。并且通過專利分析可以找到合作者，補全我們產業(yè)鏈的一環(huán)，增強實力。這些巨頭是一個競爭，我們要關注它的專利，規(guī)避我們的風險，通過專利分析這些東西都是潛在可能的?！?/div>

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設計與制造關鍵點。他表示，未來的工作主要還是針對一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實現(xiàn)一個產品化，目前提供可生產性基本滿足產品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時候推出一些產品。

德國愛思強股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產率的碳化硅同質外延的程序在大容量生產反應器當中的表現(xiàn)主題報告。他表示，用于高產量生產的高增長率SiC同質外延工藝生長的大容量生產反應器，它是在于每小時二十五微米，更好地，更快速地長外延材料，那么也是在生產領域對于生產廠家來說是一個好事，那么同時它這個結果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現(xiàn)出來。預計2018年這種全面的自動化技術的使用，會使得我們整個產業(yè)會有大量的一個客戶量的增長。

所有的技術都有一個發(fā)展過程，尤其對于電網(wǎng)來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當中的應用。其中對電網(wǎng)整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內國際進展進行了細致介紹。他表示，預期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應當是可以達到應用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應該可以達到應用水平，這樣來說對電網(wǎng)的預期是整

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長在各種基底上，最常見的是藍寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對于較大的Si襯底尺寸，但是對GaN生長Si襯底變得有吸引力，這是因為Si的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業(yè)的Si功率器件，GaN器件應當設計為增強型（e-mode），并通過低成本，

南方科技大學副教授劉召軍在分享“可編程有源矩陣Micro-LED顯示器的設計與制作”報告中表示，Micro-LED還可以被用于微型投影儀，不僅所需光路簡單還可以大大提高整個系統(tǒng)的光利用率。Micro-LED在可穿戴器件應用中也炙手可熱，適用于低功耗高亮度大視角的頭戴式眼鏡等應用場景。此外，基于氮化鎵材料的Micro-LED在多種極端環(huán)境下依然能保持高度穩(wěn)定性和可靠性，這使得其在特種應用方面前景更加廣闊。劉教授重點對介紹了 Micro-LED的電學特性和最優(yōu)化設計； 電流控制電流源設計架構的有源選址Micr

新加坡TüV SüD Asia Pacific Pte Ltd項目經(jīng)理&高級工程師Henry Marvin B?LL做了題為室內農業(yè)人工照明的標準與設計準則的報告。Henry Marvin B?LL 目前主要的研究工作集中在用于控制園藝環(huán)境的人工照明。報告中，他介紹了對植物工廠中人工光源很重要的標準，包括參數(shù)的解讀，以及如何目前可使用的一些標準。

廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理徐虹分享了人工智能+物聯(lián)網(wǎng)+LED（人工智能驅動的PFAL）主題報告。

蘇州納維科技有限公司任國強博士分享“探索氮化物半導體的新應用”主題報告