據(jù)報道，美國科研人員研發(fā)出了一款名為“諧振隧穿二極管”的新型氮化鎵基電子器件，其應(yīng)用于5G技術(shù)峰值速率超越了預(yù)期。研究人員表示：“氮化鎵基‘諧振隧穿二極管’比傳統(tǒng)材料‘諧振隧穿二極管’的頻率和輸出功率都高，其速率快慢的關(guān)鍵在于采用了氮化鎵材料。”
該氮化鎵基“諧振隧穿二極管”打破了傳統(tǒng)器件的電流輸出與開關(guān)速率的紀錄，能使應(yīng)用程序（包括通信、聯(lián)網(wǎng)與遙感）獲取毫米波范圍內(nèi)的電磁波以及太赫茲頻率。
作為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵（GaN），是一種堅硬的高熔點（熔點約為1700℃）材料，具有高頻、高效率、耐高壓等特性，用于制作多種功率器件和芯片。
氮化鎵在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的研究已經(jīng)持續(xù)多年，近期廣為人知，是因為它可以用在充電器中。而充電市場并非氮化鎵功率器件的唯一用武之地，它還應(yīng)用于光電、 射頻 領(lǐng)域。
非常值得一提的是，在射頻領(lǐng)域，氮化鎵射頻器件適合高頻高功率場景，是5G時代的絕佳產(chǎn)品，將替代Si基芯片，應(yīng)用在5G基站、衛(wèi)星通信、軍用雷達等場景。
在政治局會議多次點名之下，5G基站的建設(shè)迎來高峰，相應(yīng)的各種射頻器件、芯片數(shù)量和質(zhì)量都在提升，市場需求旺盛。氮化鎵工藝正在逐步占領(lǐng)市場，已經(jīng)勢不可擋。
根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)計，到2023年基站端GaN射頻器件規(guī)模達到頂峰，達到112.6億元。再加上衛(wèi)星通信、軍用雷達的市場，據(jù)預(yù)測GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元增長到2024年的約20億美元。
另外，GaN基紫外 激光 器在紫外光固化、紫外殺菌等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價值。疫情當(dāng)前，中美都啟用了基于GaN的紫外光進行消毒殺菌，相關(guān)市場隨之增長。
