眾所周知，第三代半導(dǎo)體又稱寬禁帶半導(dǎo)體，相較于第一代和第二代半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點和優(yōu)勢，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）等材料為代表。
 

由于碳化硅、氮化鎵之外的其他第三代半導(dǎo)體材料大多處于實驗室研發(fā)階段。從應(yīng)用領(lǐng)域上來講，氮化鎵可以在1～110GHz 范圍的高頻波段應(yīng)用三大領(lǐng)域是LED（照明、顯示）、射頻通訊、高頻功率器件；碳化硅主要應(yīng)用領(lǐng)域在電網(wǎng)、軌道交通、電動汽車及充電樁領(lǐng)域。氮化鎵適用于高頻領(lǐng)域，碳化硅則主要適用于高壓領(lǐng)域。
 

從兩者各自的特性，碳化硅是襯底材料最優(yōu)的選擇，以此生長碳化硅的外延片適合高壓功率半導(dǎo)體，生長氮化鎵的外延片適合中低壓功率半導(dǎo)體、LED、射頻。如果搭配碳化硅的襯底，氮化鎵性能會更優(yōu)異。氮化鎵的應(yīng)用研究比碳化硅要晚，但是近些年表現(xiàn)更為搶眼，原因有二：首先，氮化鎵在降低成本方面顯示出了更強的潛力。目前主流的氮化鎵技術(shù)廠商都在研發(fā)以硅為襯底的氮化鎵的器件，以替代昂貴的碳化硅襯底。
 

有分析預(yù)測到2019年氮化鎵MOSFET的成本將與傳統(tǒng)的硅器件相當(dāng)。其次，由于氮化鎵器件是個平面器件，與現(xiàn)有的硅半導(dǎo)體工藝兼容性強，這使其更容易與其他半導(dǎo)體器件集成。
 

近幾年，氮化鎵凡是出現(xiàn)，必定引起行業(yè)震動。在miniLED應(yīng)用方面，去年6月硅谷創(chuàng)業(yè)公司Mojo Vision公開了超高效和明亮的微米級氮化鎵LED屏幕，在芯片上使用氮化鎵像素制成完整的陣列。射頻應(yīng)用方面主要是基站PA，去年底三安集成為華為代工PA芯片，采用高頻性能更好的GaN材料。
 

在功率器件氮化鎵主要用在低壓上，今年2月13日小米發(fā)布的體積更小、性能和功率倍增的65W氮化鎵充電器引爆充電器市場，氮化鎵相關(guān)概念股瞬間大漲，截止到2月17日A股相關(guān)上市公司中，三安光電、士蘭微、華微電子和海特高新均實現(xiàn)了大漲，21只個股市值累計增加292億。行業(yè)預(yù)計2025年氮化鎵的市場規(guī)模超過100億美元。
 

將持續(xù)受益于氮化鎵材料技術(shù)發(fā)展得國內(nèi)優(yōu)質(zhì)上市公司標(biāo)的有：
 

海陸重工：旗下江蘇能華是氮化鎵的IDM企業(yè)有專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)以氮化鎵（ GaN）為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓，并用其做成功率器件。其在小米充電器發(fā)布后實現(xiàn)6個一字板。
 

三安光電：LED照明龍頭，miniLED龍頭，第三代半導(dǎo)體芯片代工龍頭，已建成國內(nèi)第一條第三代半導(dǎo)體6″生產(chǎn)線，格力入股，給華為代工射頻PA，未來有望成為5000億市值的龍頭企業(yè)。
 

聞泰科技：收購的安世半導(dǎo)體在車載OBC 領(lǐng)域全球領(lǐng)先，安世入股的Transphorm 已經(jīng)獲得了車規(guī)級的認(rèn)證，單車On－Board－Charge 的用量是5－6 顆GaN FET，按照單顆6 美元計算，單車OBC 價值量有30 美元之多。居于安世在汽車半導(dǎo)體中的地位，后續(xù)會開發(fā)出碳化硅的MOSFET模塊，該部件占電動車成本的5％～10％，目前正處于電動車爆發(fā)式增長的階段，聞泰也將是最大的受益者。聞泰的手機ODM＋安世的汽車半導(dǎo)體IDM融合，手機產(chǎn)業(yè)向上游的手機芯片拓展，汽車半導(dǎo)體向下游的汽車電子發(fā)展，未來成長為消費電子和汽車電子制造雙龍頭的唯一標(biāo)的，證券公司給予5000億的市值預(yù)估。