近日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開(kāi)。
 

期間，由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司，中電化合物半導(dǎo)體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術(shù)分會(huì)上，美國(guó)康奈爾大學(xué)電氣和計(jì)算機(jī)工程教授Huili Grace XING帶了視頻報(bào)告，分享了關(guān)于GaN電力電子及其基本極限的最新研究進(jìn)展。

在寬禁帶半導(dǎo)體中同時(shí)實(shí)現(xiàn)n型和p型越來(lái)越困難。也有諸多的問(wèn)題待解決，比如它對(duì)超寬禁帶半導(dǎo)體中電力電子的設(shè)計(jì)原理有何影響？與半絕緣區(qū)（例如，在流行的GaN-HEMT基功率晶體管中）相比，p區(qū)在電力電子器件中扮演什么根本不同的角色？沒(méi)有p型的幫助，肖特基勢(shì)壘等單極器件的實(shí)際基本極限是什么？像GaN這樣的極性半導(dǎo)體家族有哪些獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)？什么是極化摻雜？極化摻雜和雜質(zhì)摻雜有什么本質(zhì)區(qū)別？報(bào)告回顧l了過(guò)去20年來(lái)我們?cè)贕aN電力電子器件方面為尋求這些問(wèn)題的答案以及實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的器件所做的努力，以及最新的成果進(jìn)展。
 

Huili Grace XING表示研究工作得到了ARPAe交換機(jī)、AFOSR FA9550-17-1-0048和NSF DMREF 1534303的部分支持，利用了CNF（NSF ECCS-1542081）、CCMR（NSF MRSEC DMR-1719875）的共享設(shè)施和DMR-1338010支持的設(shè)備。
 

Huili Grace Xing目前是康奈爾大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程材料科學(xué)與工程的William L. Quackenbush教授。從2004年到2014年，她就職于圣母大學(xué)。她分別取得了北京大學(xué)物理學(xué)學(xué)士學(xué)位（1996年） 理海大學(xué)材料科學(xué)碩士學(xué)位（1998年）和加利福尼亞大學(xué)圣巴巴拉分校的電機(jī)工程博士學(xué)位（2003年）。她的研究重點(diǎn)是III-V型氮化物，2-D晶體，氧化物半導(dǎo)體，最近研究多鐵性材料，磁性和超導(dǎo)材料的開(kāi)發(fā)：生長(zhǎng)，電子和光電器件，尤其是材料性能與器件開(kāi)發(fā)以及高性能器件之間的相互作用，包括RF / THz器件，隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，功率電子器件，DUV發(fā)射器和存儲(chǔ)器。她曾獲得AFOSR青年研究者獎(jiǎng)，NSF職業(yè)獎(jiǎng)和ISCS青年科學(xué)家獎(jiǎng)。她是APS的會(huì)員。她已撰寫(xiě)/與他人合著了240多種期刊論文和110多種會(huì)議論文集，包括《自然》雜志，《物理評(píng)論快報(bào)》，《應(yīng)用物理快報(bào)》，《電子設(shè)備快報(bào)》和IEDM等。

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