近日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協辦的功率電子器件及封裝技術分會上，電子科技大學教授周琦分享了基于超薄勢壘AlGaN/GaN異質結與混合陽極二極管技術的微波混頻器與功率整流器的最新進展。
GaN在快充、LiDAR、數據中心等領域已有廣泛應用，報告詳細介紹了三代GaN混合陽極二極管的狀況，并指出，實際應用推動了GaN功率器件技術的發展。GaN二極管在分立器件和功率集成中都有重要作用。
周琦專注于第三代寬禁帶新型半導體材料、器件及其集成技術的研究，尤其在氮化鎵（GaN）功率器件新結構、模型/器件物理、先進制備工藝與GaN功率集成技術領域具有較好的研究基礎。開發出一款硅基GaN（GaN-on-Si）柵控橫向功率整流器新結構，器件性能達到國際報道的同類器件最高水平。開發出一種高效、低損傷原子層刻蝕技術，利用該技術制備的增強型GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）器件性能達到國際領先水平。研究成果發表于行業頂級期刊《IEEE Electron Device Letters》、《IEEE Trans. on Electron Devices》、《IEEE Microwave and Wireless Components Letter》及國際頂級會議IEDM、ISPSD。研究成果被功率半導體世界最著名學者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美國國家科學技術獎獲得者)發表于Semicond. Sci. and Tech.的 Invited Review Paper及中國科學院院士郝躍教授的綜述性文章作為高壓 InAlN/GaN HEMT的代表性工作所引用。
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