近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術(shù)分會上，深圳第三代半導體研究院研究員楊安麗分享了抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復合提高層”設計的研究成果。
“雙極型退化”是目前影響4H-SiC雙極型器件穩(wěn)定工作的重要問題。報告介紹“雙極型退化”的起源及相應的解決方案。以萬伏級的超高壓PiN二極管為例，詳細介紹在襯底與外延層之間如何設計合適的“復合提高層”來抑制雙極型退化。研究了器件工作電流密度和“復合提高層”少子壽命對設計“復合提高層”的影響。結(jié)果表明，在一定的工作電流密度下，“復合提高層”少子壽命越短，所需“復合提高層”厚度越薄。并通過實驗結(jié)果，比較了N摻雜、N+B摻雜和N+V摻雜的“復合提高層”對PiN二極管“雙極型退化”的影響。
楊安麗歷任日本電力中央研究所（CRIEPI）特任研究員，日本國立材料研究機構(gòu)（NIMS）SPring-8 BL15XU博士后研究員。主要研究方向圍繞寬禁帶半導體材料生長表征及應用。曾參與了中國國家863項目、日本科學振興機構(gòu)（JSTA:基于元素戰(zhàn)略的智能材料創(chuàng)新）及日本科學技術(shù)廳和日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO：下一代電力電子/SiC功率器件)的研究項目，在APL、JAP、PRB等國際半導體領域著名期刊共發(fā)表SCI學術(shù)論文40余篇，其中第一作者論文16篇，申請國家發(fā)明專利3項。日本國立材料研究機構(gòu)（NIMS）大會邀請報告一次，SiC領域國際頂級會議（ICSCRM 2017及ECSCRM2018）口頭報告2次，并被大會選為亮點。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
