2020年12月28日，阿里巴巴達摩院發布2021十大科技趨勢，達摩院預測，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應用大爆發。
其實，第三代半導體在2020年就已“展現鋒芒”，在近期各省市通過的十四五規劃中，浙江、遼寧、寧波等多地區明確加碼第三代半導體產業。
回顧2020年，超14個第三代半導體項目及相關產業園簽約落地，總投資額超800億元，涉及7個省份9個地區。其中，三安光電、露笑科技、康佳3個第三代半導體產業園分別在湖南長沙、安徽合肥、江西南昌簽約落地，總投資額超560億元。
僅從第三代半導體項目及相關產業園的簽約地區來看，主要分布在長三角地區，其中，上海、江蘇超3個項目落地；安徽超3個項目（包括產業園）落地。值得注意的是，山東中鴻新晶第三代半導體產業集群項目投資額高達111億元。
中鴻新晶第三代半導體產業集群項目
4月8日，在濟南槐蔭經濟開發區舉行2020年重點招商引資項目簽約儀式上，中鴻新晶第三代半導體產業集群項目（彩虹集團LED）簽約落地。
項目總投資111億元，項目一期產業投資8億元，計劃3年內完成第三代半導體產業集群初步建設，完成深紫外LED生產線20條，6-8英寸碳化硅單晶生產、加工、碳化硅外延生產線各2條，氮化鎵中試線1條。
項目二期投資51億元，完成第三代半導體產業基金的募集工作，并購瑞典ASCATRON(艾斯科強) 公司，打造全球領先的“國家級戰略新興半導體研究院”視一期進展及市場需求情況適時啟動，計劃2年內完成6-8英寸碳化硅單晶擴產、6-8英寸氮化鎵外延、射頻器件、功率器件生產線各1條。
項目三期投資52億元，將ASCATRON公司后續芯片生產全部轉移至中國。
吳越半導體氮化鎵襯底及芯片項目
2月21日，吳越半導體氮化鎵襯底及芯片制造項目簽約江蘇無錫。該項目總投資37億元，主要進行2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發和生產。
百識第三代半導體6英寸晶圓制造項目
2020年9月，第31屆中國南京金秋經貿洽談會上，百識第三代半導體6英寸晶圓制造項目成功簽約南京浦口。
該項目由南京百識電子科技有限公司建設，總投資30億元，擬用地80畝，建立第三代半導體外延片+器件專業代工，可以承接國內外IDM與design house的委托制作訂單，串接國內上下游產業鏈，達到第三代半導體芯片國造的目標，產品主要應用于5G基站、電動車、雷達、快速充電器等。
華通芯電第三代化合物半導體項目
2020年6月19日，華通芯電第三代化合物半導體項目簽約落地上海。該項目總投資29億元，固定資產投資22.7億元，將通過第三方代建的模式，在金山購置土地并建設廠房和潔凈車間，項目分為兩階段實施。
其中，第一階段計劃投資6.5億元，建設月產7000片GaAs（砷化鎵）芯片生產項目；第二階段計劃投資22.5億元，建設月產3000片GaN（氮化鎵）射頻芯片和20000片功率半導體芯片生產項目，其產品將廣泛用于5G基站、雷達、微波等工業領域。
據當時上觀新聞報道，目前，該項目已實現小規模量產，產線需要的關鍵設備也已準備就緒。
上海芯泳半導體有限公司第三代氮化鎵材料及5G射頻器件項目
2020年11月6日，上海芯泳半導體有限公司第三代氮化鎵材料及5G射頻器件項目簽約落地上海，該項目總投資額約20億元，由中科院趙連城院士和董紹明院士領銜，全力突破我國寬禁帶材料和5G射頻器件“卡脖子”環節。
除了項目之外，三安光電、露笑科技、康佳三大百億元產業園也于2020年簽約落地。截至目前，三大產業園皆已開工。此前，集微網也以《國內企業紛紛瞄準第三代半導體，百億元產業園項目正順勢起航》為題，介紹了三個產業園。
長沙三安第三代半導體項目
2020年6月17日，三安光電發布公告稱，公司擬在長沙成立子公司投資建設第三代半導體產業園項目，投資總額為160億元。
公告顯示，三安光電與長沙高新技術產業開發區管理委員會于 2020 年6月15日簽署《項目投資建設合同》。
同年7月20日，長沙三安第三代半導體項目在長沙高新區開工，項目總占地面積1000畝，主要建設具有自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業生產基地。
露笑科技第三代功率半導體（碳化硅）產業園
2020年8月9日，露笑科技發布關于與合肥市長豐縣簽署建設第三代功率半導體（碳化硅）產業園戰略合作框架協議的公告。
公告顯示，露笑科技于2020年8月8日與合肥市長豐縣人民政府在合肥市政府簽署《合肥市長豐縣與露笑科技股份有限公司共同投資建設第三代功率半導體（碳化硅）產業園的戰略合作框架協議》。
11月28日，露笑科技第三代功率半導體（碳化硅）產業園項目開工。該項目規劃總投資100億元，主要建設第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產、襯底加工、外延制作等產業鏈的研發和生產基地。
康佳半導體產業園暨第三代化合物半導體項目
2020年11月11日，江西南昌經開區與康佳集團股份有限公司簽約儀式在南昌舉行，江西康佳半導體高科技產業園暨第三代化合物半導體項目落戶南昌經開區，總投資300億元。
據江西衛視11月22日報道，康佳（江西）半導體高科技產業園項目近日在南昌經開區開工建設，預計2021年底前投產。
該項目分兩期建設，一期投資50億元，主要建設第三代化合物半導體項目及其相關配套產業，同步建設半導體研究院，將打造成集研發、設計、制造為一體的高科技項目。二期項目以半導體材料類、半導體應用類項目為主，以及半導體封測類、芯片設計類項目，引進一批符合產業園定位的半導體及相關產業鏈項目。
