近年來，隨著社會的發展與進步，第三代半導體材料開始嶄露頭角，迎來新風口。對比一代、二代半導體材料，第三代半導體材料作用顯著，在5G領域建設中有著很大用途，而且我國正在規劃將大力發展第三代半導體產業寫入十四五規劃之中，基于此，華微電子積極布局第三代半導體產業，助力我國實現彎道超車。
國家計劃把大力支持發展第三代半導體產業寫進目前正在制定的十四五規劃中，必將推動第三代半導體材料、器件和應用技術的大力發展。華微電子表示，第三代半導體技術，我國與國外在技術上差距小，大力發展第三代半導體能夠使我們具有擁有和國際巨頭齊頭并進和換道超車的條件。
在過去的兩年，受益于整個半導體行業宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業廣泛進入等因素，第三代半導體產業穩步發展，涌現第三代半導體材料投資熱潮。
不過，第三代半導體并非是在第一代、第二代半導體的技術上進行一種簡單的迭代，而是一個全新的技術架構。這要求真正有能力、有自主知識產權的企業能夠沉淀下來去做這件事。
在過去的半個多世紀中，華微電子持續突破諸多關鍵技術，加速推動功率半導體器件的國產化替代，助力我國工業強基與民族產業發展，成為具有國際競爭力的功率半導體企業。
最大的瓶頸是原材料。華微電子表示，我國原材料的質量、制備問題亟待破解，另外相關材料制備的關鍵設備依靠進口。SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平還有差距；其應用技術的研究比較關鍵，若相關配套技術及產品跟不上，第三代半導體的材料及器件的作用和效率可能會發揮不好。
目前SiC產品已經可以提供二極管產品、GaN器件可以提供快充使用的FET。華微電子表示，下一步，將進一步發揮公司的IDM模式的優勢，集中精力研究三代半導體的關鍵產品技術和應用技術，完善相關生產線開發和制造能力，為消費類、工業和汽車電子領域提供優異的三代半導體電力電子器件。
為擴大公司生產線，2019年，華微電子以每股3.90元價格公開發行2.1億股，募集資金總額8.3億元，用于新型電力電子器件基地項目投資。
華微電子介紹，新型電力電子器件基地項目建成以后能夠有力地補充公司的產品種類和提升產品性能。二期項目規劃的產品主要是中低壓MOSFET、IGBT和超結MOSFET產品，主要應用市場是電池保護、電動工具、基站電源、工業控制、充電樁和汽車電子，在這些領域華微電子產品技術儲備完善，建成后可以快速發揮IDM模式的優勢，快速提升產品線的盈利能力。在當前國產化替代趨勢的環境下，有望快速突破高端領域。
