當前，我國對IGBT(即絕緣柵雙極型晶體管，被稱為電力電子裝置的“CPU”，是目前技術最先進、應用最廣泛的功率半導體器件)的市場需求高居全球第一大位置，但供給仍主要依賴進口，對外依存度達到90%左右。需求缺口主要由例如英飛凌、三菱、富士電機等國際大廠來滿足。隨著我國新興產業產能的高速增長，供需缺口問題越發明顯，IGBT國產替代勢在必行。

 

 

據了解，IGBT產業鏈可以分為四部分，分別為芯片設計、芯片制造、模塊設計以及制造封測。2019年，我國工信部明確指出，在當前復雜的國際形勢下，工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊的發展滯后將制約我國新舊動能轉化及產業轉型，進而影響國家經濟發展。

 

近日，國際權威機構IHS Markit (中文名稱：埃信華邁)研究預測，世界IGBT模塊市場將以平均11.1%的增速持續增長，其中中國市場將以13.3%的增速冠絕全球。IGBT模塊模塊數將從2020年的2100萬只增長到2023年的3000萬只，金額將從2020年的14億美元增長到2023年的20億美元，而同期MOSFET預計是負增長，IPM(Intelligent Power Module，即智能功率模塊)的增速只有2%。

 

IGBT模塊擁有著巨大的市場空間。近日，記者就該份報告所反映的內容采訪了上市公司賽晶科技集團創始人、董事會主席及執行董事項頡，嘗試從他的分析中，進一步了解IGBT模塊的市場空間及未來發展潛力。

 

項頡在電力電子行業方面擁有逾20年經驗。他所創辦的賽晶科技集團系世界領先的科技創新型企業，擁有多項技術專利，客戶群覆蓋諸多著名應用廠商，譬如國家電網，比亞迪等等。賽晶科技自2016年起就開始進行IGBT相關的研發性工作，目前已經完成了研發團隊組建、首款產品的論證和設計、完善的供應鏈體系建立、啟動自主IGBT生產基地建設等一系列工作。

 

記者：IGBT模塊市場的走向將會如何？市場需求將集中在哪些應用場景？

 

項頡：中國市場IGBT模塊的平均銷售價格2020年為67.8美元，2023年預計為65.3美元。顯示大電流、大功率的IGBT模塊繼續是市場需求主流。

 

從市場來看，EV(純電動汽車)將成為IGBT模塊的第一大應用場景，從2020年的4.64億美元增長到2023年的8.34億美元，年均增速28.8%；工業變頻將繼續保持第二的位置，從2020年的3.28億美元增長到2023年的3.55億美元，年均增速5.7%；新能源發電將保持第三的位置，從2020年的2.64億美元增長到2023年的3億美元。需要指出的是，光伏發電的需求占比將超過86%，年均增長達到11.3%，而風電是年均負增長9%。這三大領域的需求將占到中國IGBT模塊市場需求的76.8%。

 

記者：目前，行業內對IGBT傾向于按照應用場景的電壓等級加以分類，主要分為低壓(600V以下)、中壓(600V-1200V)和高壓(1700V以上)三個主要電壓等級。從電壓來看，IGBT市場將呈現怎么樣的分布？

 

項頡：從電壓來看，600V-1200V的IGBT模塊市場需求將從2020年的2.83億美元增長到2023年的3.67億美元，年均增速7.9%；1200V-1400V的IGBT模塊市場需求將從2020年的7.57億美元增長到2023年的10.49億美元，年均增速17.2%；1700V的IGBT模塊市場需求將從2020年的2億美元增長到2023年的2.84億美元，年均增速12.7%。600V-1700V的IGBT模塊占到整個IGBT模塊市場的87.7%。從電流來看，150A-900A的IGBT模塊占整個IGBT模塊市場的67%。

 

值得注意的是，SiIGBT+SiCDiode的混合模塊將從2020年的2億美元增長到2023年的2.65億美元，年均增速10.8%；全SiC模塊將從2020年的1.26億美元增長到2023年的2.85億美元，年均增速28.9%。

 

記者：IGBT產業一直以來處于不溫不火的狀態，而新能源汽車、智能電網改革全面提速讓IGBT的需求爆發式增長。目前半導體產業鏈供需失衡的“多米諾骨牌效應”已經出現。在下游應用領域，IGBT模塊是客戶產品中的關鍵器件，由于替換成本較高，因此產品質量和穩定性十分重要。截至目前，我國IGBT廠商在技術、資金、品牌、人才等積累與國外廠商相比，仍然顯得十分不足。但是，受益于國產替代需求，政府推動國產替代，扶持企業發展，已經成為未來的大趨勢。據我了解，賽晶科技正在致力推出IGBT的自研產品，公司能否在緩解產業鏈緊張方面起到作用？

 

項頡：從目前的研發與生產進度看來，三年內，賽晶研發的芯片和模塊技術將可以覆蓋大部分IGBT模塊市場。