近日，韓國貿易工業和能源部（MOTIE）宣布計劃增加對國內SiC和GaN業務的投資支持。此外，SK集團最近加強了對化合物半導體的投資。預計隨著公司和政府投資的結合，SiC和GaN市場將加速增長。
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導體市場將看到加速增長的趨勢。2月1日，MOTIE宣布，它將加大對研發和基礎設施擴展的支持，以從2021年起搶占全球SiC和GaN市場。
同時，國內公司也開始進行一系列相關投資。1月28日，SK集團向YEST的子公司Yes Power Technix投資了268億。Yes Power Technix成立于2017年，研究和開發SiC器件，其100mm和150mm生產線的SiC晶圓年生產能力為14,000片/年。此外，SK Group的SK Siltron最近收購了杜邦的SiC晶圓業務。
由于帶隙大于傳統Si半導體的3倍，因此SiC和GaN半導體每單位面積可承受的電壓是傳統半導體的10倍。作為參考，GaN和SiC的帶隙分別為3.4 eV和3.2 eV，遠高于當前使用的Si的1.1 eV。
SiC / GaN技術的進步允許使用更小，更節能的芯片和更高的電流速率。展望未來，SiC的采用有望在DC-DC轉換和車載充電，工業應用中的功率因數校正以及太陽能逆變器中加速應用。在與SiC有關的行業中，重點企業包括韓國的RFHIC，metal Life，Silicon Works和YEST，以及海外的Cree，Veeco，意法半導體和Rohm。
GaN和SiC時代即將到來
預計到2029年，化合物功率半導體市場將增長五倍以上。對于5G設備，電動汽車和工業設施（包括太陽能設施）中的SiC和GaN等化合物半導體的使用需求正在急劇增加。
從2021年開始，化合物功率半導體市場將迅速增長。
包括SiC（4H-SIC）和GaN在內的下一代化合物功率半導體市場的增長現在已經開始。市場研究公司Yole預測，到2024年，SiC功率半導體市場將以29％的復合年增長率增長，達到20億美元。相關的受益方應該包括美國的Cree，意法半導體和Veeco，以及韓國的RFHIC。
晶圓生產技術對于GaN和SiC半導體的生產至關重要。
化合物半導體已開始用于5G設備，工業設施，電動汽車和太陽能等行業。近來，GaN晶體管已被大量用于智能電話和筆記本電腦的充電適配器。此外，現代汽車集團在其最近宣布的E-GMP中采用了SiC半導體。
在化合物半導體的生產中，晶圓生產技術很重要。通過使用有機金屬CVD（MOCVD）設備在襯底上生長GaN外延層來制造GaN半導體。SiC外延片是通過在多層晶圓上沉積幾微米厚的SiC單晶層而制成的。SiC晶圓由Cree，Infineon和Rohm等許多公司生產。在韓國，收購了杜邦（Dupont）SiC晶圓部門的SKSiltron正在對該行業進行投資。SiC晶圓現在供不應求。
Cree計劃到2024年將SiC產能提高30倍，并為其GaN業務投資10億美元。ST Micro的SiC芯片組相關銷售額在2019年達到2億美元，目標是到2025年達到10億美元。
