2月26日，格力電器（000651）公開了“碳化硅肖特基半導體器件”和“一種半導體器件”兩項實用新型專利。
專利一：碳化硅肖特基半導體器件
該項實用新型名稱為“碳化硅肖特基半導體器件”，專利申請人為：珠海零邊界集成電路有限公司 , 珠海格力電器股份有限公司，公開號為CN212625590U，發明人：林苡任、史波、陳道坤、曾丹。
據了解，電力電子技術已成為現代工業社會的重要支撐技術之一， 其中半導體技術， 尤其是碳化硅半導體器件， 更是被廣泛應用于工農業生產、交通運輸、 國防、航空航天、石油冶煉、 核工業及能源工業的各個領域。隨著工業技術的發展， 提高效率成為了半導體技術重要的發展方向。提高效率， 意味著在獲得同樣的輸出功率、 滿足負載要求的情況下， 損耗更低，發熱更少， 散熱系統設計壓力減輕。從長時能量消耗看， 可以降低電能的消耗， 達到節能減排的效果。
目前， 以碳化硅肖特基半導體器件為典型的碳化硅半導體器件在提高效率方面的措施是降低正向工作電壓， 而現有降低工作電壓的主要方法是提高外延層 (第二電子型半導體層)摻雜濃度和減薄外延層(第二電子型半導體層)厚度。然而， 提高外延層(第二電子型半導體層)摻雜濃度和減薄外延層(第二電子型半導體層)厚度雖然可以快速、有效地降低正向工作電壓， 但是也會降低擊穿電壓， 對碳化硅肖特基半導體器件的反向工作特性產生不利影響， 影響了碳化硅肖特基半導體器件工作效率的進一步提高。
本項實用新型涉及一種碳化硅肖特基半導體器件，其包括第一電子型半導體層、第二電子型半導體層、第一空穴型半導體層、第二空穴型半導體層、第一陽極結構、第二陽極結構和陰電極層。其中，第一陽極結構設置在第二電子型半導體上，第二陽極結構設置在第二空穴型半導體層上，第一電子型半導體層的摻雜濃度大于第二電子型半導體層的摻雜濃度，第一空穴型半導體層的摻雜濃度小于第二空穴型半導體層的摻雜濃度。
該碳化硅肖特基半導體器件可以解決現有碳化硅肖特基半導體器件難以在降低正向工作電壓的同時提高擊穿電壓的問題，進而降低碳化硅肖特基半導體器件正向導通的損耗，提高碳化硅肖特基半導體器件的工作效率。
專利二：一種半導體器件
該項實用新型名稱為“一種半導體器件”，申請（專利權）人為：珠海格力新元電子有限公司 , 珠海格力電器股份有限公司，發明人：趙承賢、李鑫、高紅梅 鄭義、劉浩、盤伶。
專利摘要顯示，本實用新型公開了一種半導體器件，其中，結構主要包括引線框架、引線框架外側包裹的塑料殼體、引線框架外壁連接的引腳、引線框架內腔中安裝有二者相互電性連接的芯片和二極管FRD；所述引線框架底部密封熱壓合有導熱絕緣銅基樹脂熱片，導熱絕緣銅基樹脂熱片為銅層和導熱絕緣層疊加連接；通過導熱絕緣銅基樹脂熱片同時提供密封和導熱，從而將引線框架內腔產生的熱量直接散熱出。
本設計的半導體器件在制作過程中，工藝也方便，采用熱壓方式，提供高導熱的散熱路徑從芯片到應用端的散熱器，而不需要額外的絕緣墊片來實現高功率密度與電氣絕緣。
