在山東省政府日前公布的關(guān)于印發(fā)《落實(shí)“六穩(wěn)”“六保”促進(jìn)高質(zhì)量發(fā)展政策清單（第二批）的通知》中，明確提出，自2021年起山東省自然科學(xué)基金設(shè)立集成電路專項(xiàng)基金，面向全球支持優(yōu)秀科技人才聯(lián)合我省團(tuán)隊(duì)開(kāi)展基礎(chǔ)理論和應(yīng)用基礎(chǔ)研究，在重大科技創(chuàng)新工程中設(shè)立集成電路專項(xiàng)，支持關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)。濟(jì)南市2021年政府工作報(bào)告中，也提出“將大力發(fā)展集成電路等產(chǎn)業(yè)，優(yōu)化升級(jí)國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地，推動(dòng)富能半導(dǎo)體項(xiàng)目投產(chǎn)達(dá)效。”
此前本報(bào)曾報(bào)道，1月27日，富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品下線，有媒體稱“標(biāo)志著山東首條芯片加工制造線進(jìn)入實(shí)際生產(chǎn)階段”。項(xiàng)目第一期一階段投產(chǎn)后，將有望達(dá)到年產(chǎn)36萬(wàn)片8英寸硅基功率器件（MOSFET Super Junction IGBT）和1萬(wàn)片6寸碳化硅功率器件（SIC MOSFET）的生產(chǎn)能力。據(jù)此前公布數(shù)據(jù)，僅第一期的投入金額就高達(dá)60億元。
據(jù)悉，富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目規(guī)劃總占地面積630畝，共分三期建設(shè)。富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目生產(chǎn)的各類晶體管產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、新能源裝備和汽車電子等領(lǐng)域。據(jù)承建方中鐵十四局披露的信息，要生產(chǎn)芯片這種高精密產(chǎn)品，對(duì)工廠標(biāo)準(zhǔn)要求極高，該項(xiàng)目技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)高出國(guó)家驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的4倍，潔凈度最高達(dá)到普通手術(shù)室的10-100倍，“芯片生產(chǎn)廠房對(duì)地基的要求非常高，微米級(jí)震動(dòng)控制甚至需要把飛機(jī)起落震動(dòng)的影響都考慮進(jìn)去。”
在該項(xiàng)目上，濟(jì)南國(guó)資方面“著墨”頗多，濟(jì)南高新控股集團(tuán)有限公司2019年預(yù)付濟(jì)南富能半導(dǎo)體方面的款項(xiàng)達(dá)到12.75億元。其2020年報(bào)表明，濟(jì)南高新控股集團(tuán)有限公司在富能半導(dǎo)體方面已經(jīng)注資22.95億元。
