日前，意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布，電氣與電子工程師協會(IEEE)授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰公司在超級集成硅柵半導體工藝技術方面的開創性研究成果。意法半導體的BCD技術可以單片集成雙極工藝高精度模擬晶體管、CMOS工藝高性能數字開關晶體管和高功率DMOS晶體管，適合復雜的、有大功率需求的應用。多年來，BCD工藝技術已賦能硬盤驅動器、打印機和汽車系統等終端應用取得了顛覆性發展。
在意法半導體Agrate工廠舉行的現場 / 線上揭牌儀式上，IEEE意大利分部人道主義活動委員會協調員兼前任秘書Giambattista Gruosso和意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery共同揭開了IEEE里程碑牌匾。
該牌匾將放置在意法半導體在意大利米蘭市近郊的兩個曾經承擔多硅柵多功率BCD開發工作的意大利布里安札的Agrate工廠和意大利米蘭Castelletto工廠的大門口。
牌匾上寫著：
IEEE里程碑
單片多硅技術，1985年
SGS(現為意法半導體)率先采用單片集成雙極型晶體管、CMOS晶體管和DMOS晶體管(BCD)的超級集成硅柵極工藝，解決復雜的、有大功率需求的應用設計難題。首個BCD超級集成電路L6202可以控制最高60V-5A的功率，開關頻率300kHz。隨后的汽車、計算機和工業自動化廣泛采用了這項工藝技術，讓芯片設計人員能夠靈活、可靠地單片集成功率、模擬和數字信號處理電路。
IEEE于1983年建立了里程碑計劃，以表彰在獨特產品、服務、有影響力的論文和專利中造福人類的技術創新和卓越成就。每一個里程碑獎都代表了一項至少是25年前在IEEE代表的技術領域產生的至少具有地區影響力的重要技術成就。目前，IEEE在全球范圍內批準并頒發了大約220塊IEEE里程碑牌匾。
在上個世紀八十年代初期，意法半導體工程師開始尋找可靠的方法解決各種電子應用問題，并第首先在一顆單芯片上集成異質晶體管和異質二極管。工程師著眼于多個細分市場的客戶需求，著力于在數字邏輯的控制下提供數百瓦的電力，而且控制邏輯技術遵循摩爾定律。目標器件還將支持精確的模擬功能，并最大程度地降低功耗，無需使用散熱器。
這些研發活動最終產生了一種新的集成硅柵技術。這種被稱為BCD (雙極、CMOS、DMOS) 的技術利用復雜的互連方法在單個芯片上集成二極管、雙極線性晶體管、復雜CMOS邏輯和多個DMOS功率晶體管。BCD首個芯片是L6202電動機全橋驅動器，工作電壓60V，電流1.5A，開關頻率300kHz，達到所有設計目標。這個新的可靠工藝技術讓芯片設計人員能夠在單個芯片上靈活地集成功率、模擬和數字信號處理電路。
從推出BCD工藝至今，意法半導體已經售出400多億顆硅柵多功率BCD器件/芯片，第十代BCD技術即將開始投產。在歐洲和亞洲，意法半導體前后工序制造工廠的這項BCD技術廣泛用于汽車子系統、智能手機、家用電器、音頻放大器、硬盤、電源、打印機、微型投影儀、照明、醫療設備、電動機、調制解調器、顯示器等。
