極紫外光刻機（EUV）目前是先進半導體制程中，不論是DRAM或晶圓代工生產過程中，進一步提升效能的關鍵之一。而目前荷蘭商ASML則是全球唯一量產EUV光刻機的廠商，包括臺積電、三星、英特爾的先進制程都要依賴EUV光刻機來生產。現階段，每臺光刻機的單價將近1.5億美元。不過，ASML的EUV光刻機目前出貨的是使用光源波長在13.5nm左右的第一代產品，其物鏡的NA數孔徑是0.33。根據ASML表示，第2代的EUV光刻機目前已經進入開發(fā)階段。
據了解，首代EUV光刻機量產的型號為NXE：3400B，其產能為每小時125PWH。至于，目前ASML的出貨主力是NXE：3400C，產能提升到135WPH。另外，預計2021年底還有NXE：3600D系列產品將推出，產能再進一步提升到160WPH。只不過，屆時的出貨價格也會提升到1.45億美元左右。
為了提升生產效率，ASML準備推出的第2代EUV光刻機型號將會是NXE：5000系列，其物鏡的NA值將提升到0.55，進一步提高曝光的精度。然而，NA值0.55的第2代EUV光刻機在當前研發(fā)階段遭遇了瓶頸，使得原本預計最快2023年問世的時程，傳出可能將延后到2025-2026年才有可能問世，等于一舉延后了近3年的時間，這也使得市場人士擔心將影響到整體半導體制程的研發(fā)狀況。
只是，對于ASML在第2代EUV光刻機可能遭遇研發(fā)瓶頸，因此將延后問世的情況，如今有來了神隊友的救援。外媒報道指出，日本最大半導體鍍膜極蝕刻設備公司東京電子（東京威力科創(chuàng)TokyoElectron）宣布，將于鍍膜/顯影技術上與ASML合作，以聯(lián)合發(fā)展下一代EUV光刻機的研發(fā)生產，以維持原本2023年問世的期程。另外，除了東京電子之外，比利時微電子研究中心（IMEC）也是參與合作的伙伴。
報道表示，東京電子指出，藉旋金屬抗蝕劑以顯示出高解析度和高蝕刻電阻，有望使圖案更加精細。然而，含有金屬的抗蝕劑需要對復雜的圖案尺寸進行控制，以及對芯片背面/斜面金屬污染的較好掌握。因此，為了應對這些挑戰(zhàn)，涂層/開發(fā)人員正在聯(lián)合高NA實驗室來安裝先進的制程模組，以其能夠處理含金屬的抗蝕劑。
