近日，有投資者在互動平臺提問“公司有sic晶圓代工嗎？ 碳化硅方面專利或技術儲備，后面有沒有朝碳化硅方面發展可能？”

 

賽微電子表示，GaN和SiC都屬于第三代半導體，在寬禁帶和擊穿電場方面都有相同的特性，都適合做功率電子應用，氮化鎵具有高導通能力，氮化鎵的異質結是碳化硅不具備的，因此，氮化鎵相對碳化硅更具有速率和效率方面的優勢；另一方面碳化硅起步較早，更加成熟，有一定的成本優勢，良率、熱導率也會更好些，因此在超高壓大功率有更強的散熱優勢。簡單來說，在功率系統里，大于10KW以上的汽車逆變器、軌道交通、發電等應用領域，碳化硅更有優勢，在10KW以下的快充、智能家電、無線充電、服務器等應用領域，氮化鎵有更多的優勢。當然，以上屬于公司的理解，不一定權威，還請投資者多方咨詢確認。公司在碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）材料及制造方面同樣具有技術儲備，但在8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）方面的技術儲備與競爭力方面更為突出，材料技術與工藝制造能力都是為產品服務，具體取決于客戶需求。

 

對于“聚能創芯推進的融資怎么樣了？公司有增加股權的計劃？”的提問，賽微電子表示，公司控股子公司聚能創芯是GaN業務的一級發展平臺，業務范圍包括GaN外延材料設計生產、GaN芯片設計，同時正參股投資建設GaN制造產線，公司在基于8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）的材料生產與芯片設計方面具備突出優勢。聚能創芯正在快速發展過程中，同時也正在推進融資事項，不排除其股權結構在未來會發生相應變化。