功率半導體是實現電能控制和轉換的核心器件，寬禁帶半導體產業是我國“十四五”規劃和2035遠景規劃的重要發展方向，SiC功率器件和模塊的國產化有利于實現我國關鍵領域的獨立自主和進口替代。芯聚能半導體是國內領先的車規級SiC功率器件模塊公司，也是粵港澳大灣區重點支持的寬禁帶半導體產業項目。

 

相比于硅基IGBT，碳化硅MOSFET具有更高結溫、更高頻率和更高耐壓的物理特性。受益于新能源汽車高電壓平臺的應用和超級快充時代的到來，搭載碳化硅主驅逆變器的電動汽車可實現更高效的電驅控制，提高續航里程，減少電池消耗。碳化硅優異的性能表現及成本的不斷降低，將帶來系統級成本優勢從而加速其在純電動市場上的應用。