近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

期間，“超寬禁帶半導體材料“分論壇上，南京大學況悅做了題為“κ-Ga₂O₃/In₂O₃ 同型異質結構的能帶排列和界面彎曲”的主題報告，分享了最新成果。將κ-Ga₂O₃ 集成到其他氧化物半導體上開辟了一條令人興奮的途徑，亞穩態 κ-Ga₂O₃的基本生長動力學和物理特性仍遠未探索。研究通過激光分子束外延報告了單晶亞穩態正交 κ-Ga₂O₃外延層和立方In₂O₃(111) 的異質結構構造。發現Sn和In元素偏析到生長表面并作為表面活性劑降低氧吸附原子的總表面能和擴散勢壘，從而在生長前沿產生富含Ga的條件，從而促進κ- Ga₂O₃相。深度剖面X射線光發射光譜 (XPS) 分析確定了I型帶對齊，導帶偏移 (CBO) 為 0.45 eV，價帶偏移 (VBO) 為-1.15 eV 的κ-Ga₂O₃/In₂O₃異質結構。通過雙層模型對霍爾結果的分析確定，具有1.2×10¹⁴ cm^-2片狀載流子濃度和192 cm²/Vs 增強遷移率的二維電子氣 (2DEG) 被限制在異質結構界面處。研究表明，增強的界面電導率是極化操縱和帶不連續性相結合的結果，壓電力顯微鏡和深度剖面XPS的特性很好地支持。通過將 κ-Ga₂O₃ 集成到其他六邊形極性半導體上，可以打開通過極化工程操縱界面電導率的可能性，并提供具有多種功能的先進設備。

況悅，主要研究方向為寬禁帶半導體異質結與能帶工程，作為核心成員參與國家重點研發計劃課題、國家自然科學基金等，曾獲南京大學優秀研究生、江蘇金融租賃獎學金、南京大學學業一等獎學金等，目前已在Applied Physics Letters, ACS Applied Electronic Materials等學術期刊上發表多篇學術論文。多次在半導體物理學術會議等重要會議上作口頭報告。

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