近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司共同協辦支持的”射頻電子器件與應用論壇“上，日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平做了題為”轉換效率超過91%的基于GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器“的主題報告。從GaN-SBD 的設計和制造、905MHz微波整流器的開發等方面分享了研究成果。

 

具有U形準垂直結構的氮化鎵 SBD是專門為 905 MHz的低功率微波整流而設計和制造的。采用高摻雜外延層和圖案化肖特基陽極，分別將GaN SBD電阻降低至0.75Ω，將結電容降低至0.9 pF。研究設計并測量了基于U型GaN SBD的工作頻率為905 MHz的微波整流器。由于出色的二極管性能和微波電路設計，在20 dBm的輸入功率下實現了超過91.5%的實測轉換效率。由于結電容較小，整流器的高效工作帶寬 (>50%) 也提高到14.5 dBm。

 

敖金平，日本德島大學教授、西安電子科技大學教授，2003年11月起加入德島大學并于2012年升任準教授。2016年起任西安電子科技大學特聘教授，博士生導師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。在國際學術期刊和國際會議上發表論文200余篇，擁有多項發明專利。敖博士是國際電氣電子工程師協會(IEEE)高級會員，美國電氣化學協會(ESC)會員，日本應用物理學會會員以及日本電子情報通信學會會員。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）