據無錫高新區消息，儀式上，吳越半導體展出了全球范圍內首次厚度突破 1 厘米的氮化鎵晶體，并與君聯資本、新投集團簽署 A 輪融資戰略框架協議。

 

 

 

圖片來源：無錫高新區在線

 

無錫吳越半導體有限公司成立于 2019 年，是無錫先導集成電路裝備材料產業園首個落戶的項目，公司專注于氮化鎵自支撐襯底的開發、生產和銷售。

 

2020 年 2 月，吳越半導體、先導集團與高新區管委會簽訂合作協議，在無錫高新區實施 2-6 英寸氮化鎵自支撐單晶襯底產業化項目，項目總投資37億，主要進行2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發和生產。項目建成投產后，可填補無錫市在第三代化合物半導體氮化鎵原材料領域的空白。

 

全部建成投產后，能夠打通從材料到芯片到器件的整個產業鏈，創造年30億元的銷售額。