據臺灣經濟日報今日報道，聯電已通過投資聯穎，切入第三代半導體領域。聯電計劃從6寸氮化鎵（GaN）產品入手，之后將展開布局碳化硅（SiC），并向8寸晶圓發展。公司透露，第三代半導體制程將從CMOS轉換而來，未來將伺機擴產。

 

聯電表示，由于目前業內較少廠商能夠提供GaN整體解決方案，正在構建技術平臺，由聯電、聯穎共同研發，聚焦電子、射頻微波等應用，預計明年將導入IC設計客戶。

 

另外，聯電更與比利時微電子研究中心（IMEC）攜手，開展第三代半導體研發。后者是全球知名獨立公共研發平臺、半導體業內指標性研發機構，英特爾、三星、臺積電、高通等均與其有合作。

 

值得一提的是，聯穎有望成為聯電第三代半導體的主要生產陣地。聯穎此前主營業務便是6寸晶圓，但長時間處于虧損狀態，產能利用率也處于較低水平。但去年下半年以來，業績好轉，產能持續滿載，明年產能有望較今年翻倍增長。

 

能源技術革命向材料領域滲透 第三代半導體打開增長空間

 

除聯電之外，產業鏈其余廠商也沒有錯過第三代半導體這一契機。

 

龍頭臺積電在GaN投入多年，目前已小批量提供6寸晶圓代工服務。同時，公司針對車用領域，與意法半導體合作開發GaN制程，而Navitas（GaN消費市場龍頭）、GaN Systems等廠商也已在臺積電投片，生產高壓功率半導體器件。

 

世界先進已展開8寸GaN on Si研發，已有超過10家客戶進行產品設計，臺灣電子時報指出，該技術可靠性與良率已接近量產階段。

 

就在上周，硅晶圓廠商環球晶宣布，明年將大幅擴產第三代半導體，GaN及SiC產能均將翻倍增長。

 

各路廠商爭相布局的背后，是新能源汽車、5G等新興產業崛起和“雙碳”目標帶來的廣闊增量空間。

 

SiC方面，其背后主要驅動力與新能源汽車緊密相連。據三安光電副總經理陳東坡預計，在2023-2024年，長續航里程的車型基本上80-90%、甚至100%都將導入SiC器件。同時，高壓快充平臺則是另一個需求增長點，目前車企打造800V高壓平臺都是從IGBT入手，以SiC器件取代硅基IGBT。

 

GaN則主要用于5G射頻器件、功率器件等，市場空間同樣備受青睞。

 

總體來說，目前第三代半導體仍處于發展初期，分析師認為國內企業與國際巨頭差距相對較小，對后來者也較為有利。