針對充電樁、UPS不間斷電源等工業類領域，對標國內外行業龍頭，國星光電最新推出的SiC功率模塊產品包括有NS34m、NS62m、NSECO以及NSEAS系列的封裝，拓撲結構涵蓋半橋、全橋、三相橋以及CIB，模塊規格覆蓋1200V電壓等級，20A-80A的電流范圍，可依據市場電路系統的輸入輸出要求和成本等因素的考量，選擇不同拓撲結構的功率模塊，并快速進行應用替換。

 

 

瞄準快充市場，國星光電最新推出E-mode的 650V/10A GaN-DFN5*6 GaN器件，BVds>650V，Rdson<150mΩ，性能穩定達到行業器件水平；器件可適用市面上100W以下的充電頭的應用。

 

 

 

 

 

國星光電對SiC功率分立器件產品進行優化升級，完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6五種優勢封裝結構的開發。該產品以TO系列為主，目前已建立主流650V系列與1200V系列SiC MOSFET和SiC SBD兩個產品系列，可應用于光伏逆變、工業電源、新能源汽車、充電樁、軌道交通及智能電網等領域的電力轉換裝置。其中1200V 40A SiC MOSFET，Vth開啟電壓低于2.0V，Rdson開通損耗小于50mΩ。

 

 

 

為滿足終端應用市場的需求，國星光電全力加碼對第三代半導體的布局，目前已形成以SiC和GaN為主營業務的第三代半導體產品系列，包括SiC功率分立器件、SiC功率模塊、GaN器件。其中，SiC模塊及GaN器件新品集生產、測試、可靠性驗證測試一體的實驗線已投入生產運作，可迅速對接客戶個性化的需求；SiC功率分立器件產品已完成了多項可靠性驗證與具體應用端實測工況的評估，產線已投入使用，并完成了多個合作商的試產訂單。

 

 

在應用升級和政策驅動的雙重帶動下，第三代半導體產業一直是備受關注的重要發展方向。國星光電立足市場，聚焦領域熱點，不斷豐富產品線路，計劃于今年推出超薄型SiC內絕緣系列分立器件，產品的耐壓能力、散熱能力等將得到進一步的提升，可更好地滿足客戶對器件內部絕緣的嚴苛需求。另一方面，國星光電也將于今年陸續推出E-mode的650V/15A，Cascode的650V/12A等不同型號的GaN器件產品，為客戶提供定制化技術解決方案，進一步滿足客戶多樣化的需求。

 

搶抓“十四五”發展新機遇，接下來，國星光電將持續加大第三代半導體的研究開發和技術成果轉化，努力打造具備高可靠性、高品質優勢的“三代半功率器件封測企業”！