第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件，在快充等消費領(lǐng)域中獲得了廣泛的應(yīng)用。但隨之而來的高頻磁芯材料制造及成本，也限制了氮化鎵器件沖擊高頻的步伐，開關(guān)頻率始終沒有突破兆赫茲。對工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的開關(guān)電源來說，能夠在有限的體積內(nèi)提升效率，提高功率密度，也逐漸成為人們的共識。在大功率開關(guān)電源中應(yīng)用芯冠CASCODE結(jié)構(gòu)氮化鎵器件，可以使用傳統(tǒng)硅MOS的控制芯片，同時CASCODE結(jié)構(gòu)氮化鎵器件，相比傳統(tǒng)硅器件具有更低的開關(guān)損耗和柵極電荷，氮化鎵高頻低損耗的優(yōu)勢可以得到充分發(fā)揮，為節(jié)能減排貢獻力量。
大連芯冠科技有限公司是采用IDM模式，從事以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體外延材料、晶圓研發(fā)及器件設(shè)計的制造商，產(chǎn)品應(yīng)用于電源管理、太陽能逆變器、電動汽車及工業(yè)馬達驅(qū)動等領(lǐng)域。公司已與國內(nèi)多家半導(dǎo)體功率器件及下游電源廠商展開深入合作，開發(fā)基于氮化鎵器件的新一代各類電源產(chǎn)品，包括新能源汽車車載充電機、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和高端電機驅(qū)動等。提供650V/900V多規(guī)格的功率器件產(chǎn)品，電源功率的應(yīng)用覆蓋幾十瓦到幾千瓦范圍。芯冠氮化鎵功率器件的特點是兼容標準MOS驅(qū)動，應(yīng)用設(shè)計簡單，只需配合柵極電阻調(diào)節(jié)開關(guān)速度，引腳套磁珠抑制EMI干擾；抗擊穿電壓高達1500V以上，使用安心。
近日，大連芯冠科技推出了兩款新的CASCODE結(jié)構(gòu)氮化鎵開關(guān)管，GaN均為D-MODE耗盡型，其中XG65T300HS2A為DFN8*8貼片封裝，耐壓650V，導(dǎo)阻240mΩ。XG90T150PS2A為TO220封裝，耐壓900V，導(dǎo)阻150mΩ。兩款氮化鎵開關(guān)管均支持20V柵極電壓，保證了功率開關(guān)管在導(dǎo)通狀態(tài)下電阻最小，且器件柵壓有足夠的裕量來應(yīng)對開關(guān)過程中的電壓過沖等不利因素，避免造成器件的潛在損傷和失效。
大連芯冠科技XG65T300HS2A是一款DFN8*8封裝的氮化鎵開關(guān)管，額定耐壓650V，瞬態(tài)耐壓達1100V。可使用傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動器進行驅(qū)動，具有低恢復(fù)電荷和開關(guān)損耗，適用于高效USB PD快充，高效開關(guān)電源等應(yīng)用。
大連芯冠科技XG90T150PS2A是一款TO220封裝的氮化鎵開關(guān)管，額定耐壓900V，瞬態(tài)耐壓達1700V，導(dǎo)阻150mΩ，采用TO220封裝，具有更低的封裝熱阻，固定在散熱片上支持更高的功率輸出。
芯冠科技推出的D-MODE氮化鎵開關(guān)管，適用于小功率PD快充等消費類領(lǐng)域，大功率開關(guān)電源，電信及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，馬達驅(qū)動及汽車應(yīng)用等領(lǐng)域。
