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IC Insights:今年全球NAND閃存資本支出將增長8%,至299億美元

日期:2022-03-16 來源:半導體產業網閱讀:281
核心提示:近日,IC Insights發布了2022年《麥克林報告》第一季度更新。對未來的半導體產能、DRAM、閃存、MCU、MPU和模擬芯片細分市場做了詳細預測。
近日,IC Insights發布了2022年《麥克林報告》第一季度更新。對未來的半導體產能、DRAM、閃存、MCU、MPU和模擬芯片細分市場做了詳細預測。

 
IC Insights預測今年NAND閃存資本支出將增長8%至299億美元,超過2018年278億美元的歷史最高記錄(如下圖)。閃存資本支出在2017年飆升,當時該行業向3D NAND轉型,此后每年都超過200億美元。2022年,閃存的資本支出預計將增至299億美元,因為大型供應商和小型供應商將保持適度激進的支出水平。

 
299億美元的支出占2022年整個集成電路行業資本支出1904億美元的16%,僅落后于晶圓代工,這一部分預計將占今年行業資本支出的41%。
 
新建和最近升級版的NAND閃存工廠包括三星的Pyeongtaek Lines1和2(也用于DRAM和代工);三星在中國西安的二期投資;鎧俠在日本巖手的Fab6和FabK1,以及美光在新加坡的第三家閃存工廠。此外,SK海力士為其M15工廠的剩余空間配備了NAND閃存。
 
在預測期內,隨著NAND閃存供應商準備從2022年底到2023年進入200層以上設備的競爭,將需要新的晶圓廠和新設備。到今年晚些時候,三星和美光可能是第一批開始量產的公司。兩家公司以及SK海力士目前都在量產176層NAND。三星位于中國西安的晶圓廠是(并將成為)領先NAND的關鍵制造基地,擁有兩個晶圓廠,每個晶圓廠全面投產后每月可生產120000片晶圓。隨著對企業存儲應用的日益關注,SK海力士預計將在2023年遷移到196層。 
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