日前，日本豐田合成宣布與日本大阪大學（OsakaUniversity）成功研制出尺寸超6英寸的GaN籽晶，有助于GaN功率器件的低成本化。
Source：豐田合成
據介紹，為制造超過6英寸的GaN 襯底，豐田合成與大阪大學采用了鈉助熔劑法（Sodium Flux Method），該方法是在鈉和鎵的液態金屬中生長 GaN 晶體。基于此，豐田合成開發出全球最大、超過6英寸的高質量GaN晶體。
接下來，豐田合成與大阪大學將對 6 英寸襯底的批量生產進行質量評估，并繼續提高晶體質量、加大尺寸。
Source：豐田合成
目前，豐田合成正在利用其在 GaN 半導體（藍光 LED 和 UV-C LED）方面的專業知識來開發下一代功率器件。
豐田合成表示，功率器件廣泛用于工業機械、汽車、家用電子等領域的功率控制。
隨著社會朝著碳中和的方向發展，下一代功率器件因能夠幫助減少可再生能源設備和電動汽車這些大型電力設備的功率損失，未來應用將廣泛落地，而GaN 功率器件是有助于減少功率損失的方法之一，且開發下一代功率器件需要更高質量和更大尺寸的 GaN 襯底，以實現更高的生產效率和降低生產成本。
