近日，半導體功率器件廠商安建半導體獲1.8億元B輪融資，本輪融資由超越摩爾投資領投，弘鼎資本、龍鼎投資、聯和資本、君盛投資和金建誠投資跟投。
本輪募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產品開發、第三代半導體SiC器件開發和IGBT模塊封測廠建設。
官網顯示，安建科技有限公司 (JSAB Technologies Limited) 是一家專門從事功率半導體元器件產品設計、研發及銷售的高科技公司， 擁有由香港科技大學教授、大中華區唯一一位從事硅基功率半導體研究的美國電子電氣工程師學會院士（IEEE Fellow）所領銜的業內頂尖技術團隊，在2020年中國創新創業大賽中榮獲全國賽優秀企業獎、廣東省分賽區“新一代信息技術”產業大類第四名。
安建科技現有低電壓的SGT-MOSFET（分裂柵金屬氧化物場效應晶體管）、高電壓的SJ-MOSFET（超結金屬氧化物場效應晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產品線。高電壓產品主要應用于高鐵、電動汽車、新能源、工業控制等領域；低電壓產品主要應用于5G基站、電能轉換、綠色家電、消費電子等領域，安建科技的功率芯片得到了國內多家應用客戶的認可，目前已經在眾多領域穩定運行。
目前安建半導體的產品線已經涵蓋大部分MOS管和IGBT產品，其中已有三條產品線實現量產，分別是低電壓的SGT-MOS管（屏蔽柵金屬氧化物場效應晶體管）、高電壓的SJ-MOS管（超結金屬氧化物場效應晶體管）、Field Stop Trench IGBT（場截止溝槽型絕緣柵雙極晶體管），產品均具有高性能高可靠性。
未來，安建半導體還將針對不同應用場景還將繼續開發不同性能和不同規格的產品，實現功率器件所有電壓和電流全覆蓋，完成做全系列高低壓MOS管和IGBT產品的目標。同時，安建半導體還計劃推出車規級產品，目前正在與上海汽車商談戰略合作，研發應用于其新能車的IGBT產品。
安建半導體還希望打通制造環節，計劃在未來組建模塊制造廠，采用一種虛擬IDM模式，再和晶圓制造廠做綁定合作。
