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首輪融資數(shù)億元,又一家功率半導體器件廠商獲資本青睞

日期:2022-03-30 來源:全球半導體觀察閱讀:293
核心提示:近日,功率半導體IDM廠商里陽半導體完成首輪數(shù)億元人民幣融資,IDG資本獨家投資。
近日,功率半導體IDM廠商里陽半導體完成首輪數(shù)億元人民幣融資,IDG資本獨家投資。
 
功率半導體器件國產(chǎn)替代機會大,里陽半導體積極擴充產(chǎn)能

資料顯示,里陽半導體創(chuàng)立于2018年,是國內功率半導體器件廠商,專注于高性能可控硅Thyristor、超低正向壓降高壓整流管芯片Rectifier、TVS、ESD等功率器件以及MOV、GDT放電管、TSS等防護產(chǎn)品,產(chǎn)品被廣泛應用于通信系統(tǒng),計算機、消費類電子產(chǎn)品、智能家電、照明、汽車電源管理、智能安防等市場領域。
 
里陽半導體擁有低漏電、低壓臺面玻璃鈍化工藝和超低漏電、低壓平面工藝等先進工藝,是生產(chǎn)單芯片工作電壓從5V-600V的業(yè)內最齊全的器件制造商,在同類工藝比較中,里陽半導體相對同行產(chǎn)品低壓漏電流更低,高壓浪涌承受能力更強,且平面和臺面芯片均可承受150℃結溫并且擁有生產(chǎn)175℃高結溫芯片的能力。同時,在晶閘管領域,研發(fā)、量產(chǎn)出同行領先150℃高結溫可控硅組件。
 
IDG資本表示,功率器件在5G基站、電動汽車、安防等工業(yè)和消費場景的應用逐年增長且有較強的迭代創(chuàng)新需求,存在國產(chǎn)替代機會,看好里陽半導體戰(zhàn)略發(fā)展意識、技術積淀與生產(chǎn)管理及制造能力,堅定支持里陽半導體成為中國乃至全球知名的功率半導體公司。
 
首輪融資將助力里陽半導體將快速實現(xiàn)產(chǎn)能擴充,解決產(chǎn)能不足問題,同時進一步提升研發(fā)實力。
 
據(jù)悉,里陽半導體一期工廠在浙江臺州玉環(huán)市,已實現(xiàn)從芯片設計、晶圓制造、封裝測試到下游應用的完整IDM產(chǎn)業(yè)鏈,目前處于產(chǎn)能爬坡階段,預計今年底將達到一期峰值產(chǎn)能。
 
功率半導體器件備受資本青睞,碳化硅、氮化鎵前景可期
 
功率半導體器件,即我們常說的電力電子器件,是實現(xiàn)電能轉換的核心器件,廣泛應用于消費電子,工業(yè),汽車等領域。
 
近年,受益于5G、新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展,功率半導體器件市場迎來廣闊發(fā)展空間,相關企業(yè)在資本市場備受青睞。
 
僅以今年3月為例,媒體已經(jīng)報道了多起功率半導體器件投融資事件,除了里陽半導體之外,3月還有美浦森、安建半導體、天狼芯半導體、銳駿半導體等企業(yè)完成新一輪融資。
 
美浦森宣布完成近億元A輪融資,本輪融資由深圳創(chuàng)東方領投,上市公司和而泰股份跟投。本輪資金將用于包含SJ-MOS、SGT-MOS、SiC器件產(chǎn)品線、IGBT等新產(chǎn)品的擴充和先進工藝研發(fā)、吸引高精端人才、并繼續(xù)投入“美浦森測試及應用實驗室”。
 
安建半導體獲1.8億元B輪融資,募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產(chǎn)品開發(fā)、第三代半導體SiC器件開發(fā)和IGBT模塊封測廠建設。資料顯示,安建半導體成立于2016年,專注于半導體功率器件的研發(fā)、設計和銷售,是賦能高端芯片國產(chǎn)化的企業(yè)之一。
 
天狼芯半導體宣布獲得A+輪融資,本輪資金將主要用于產(chǎn)能擴張、產(chǎn)品研發(fā)、技術迭代以及市場推廣。天狼芯半導體成立于2020年1月, 是一家專注于提供高性能國產(chǎn)功率半導體芯片的Fabless創(chuàng)新企業(yè),主要產(chǎn)品為超低電壓微處理器,GaN系列、SiC系列寬禁帶功率器件,以及Trench/SGT MOSFET。
 
銳駿半導體宣布完成數(shù)億元C輪融資,融資將用于持續(xù)增強高低壓SGT / SJ MOSFET、持續(xù)投入IGBT、碳化硅SIC SBD/SIC MOS研發(fā),模塊車規(guī)級產(chǎn)業(yè)化布局等方面。
 
從融資用途來看,不少功率半導體器件廠商傾向于鞏固既有的硅器件業(yè)務的同時,積極發(fā)力以碳化硅為代表的第三代半導體功率器件。
 
第三代半導體功率擁有廣闊市場前景,這是眾多功率半導體廠商積極布局的原因之一。
 
今年3月,全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調查顯示,第三代功率半導體產(chǎn)值將從2021年的9.8億美元,至2025年將成長至47.1億美元,年復合成長率達48%。其中,碳化硅功率半導體至2025年可達33.9億美元,氮化鎵功率半導體至2025年可達13.2億美元。 

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