日前，深圳市時創(chuàng)意電子有限公司宣布推出新一代eMMC嵌入式存儲芯片產(chǎn)品，已正式量產(chǎn)。

據(jù)悉，該產(chǎn)品基于長江存儲第三代512Gb TLC 3D NAND打造，具備高密度，高速率，高可靠性等優(yōu)點，廣泛應用在手機、平板電腦等嵌入式存儲領域，具備廣闊的市場前景。
 

（E128CYNT2ABE00 產(chǎn)品圖示）

 

隨著5G和人工智能技術的應用范圍越來越廣，移動設備對存儲芯片的性能、容量和數(shù)據(jù)穩(wěn)定性等要求不斷提高，市場對更大容量、更高性能和更低成本的存儲芯片解決方案的需求愈加明顯。

 

為了滿足電子產(chǎn)品對大容量高性能存儲芯片日益增長的市場需求，時創(chuàng)意研發(fā)團隊通過多年技術積累，厚積薄發(fā)，推出了新一代eMMC嵌入式存儲產(chǎn)品，并采用了長江存儲Xtacking架構第三代512Gb TLC 3D NAND。該產(chǎn)品的推出進一步豐富了時創(chuàng)意的存儲產(chǎn)品線，同時為市場提供高性價比、高性能的存儲芯片產(chǎn)品解決方案。

 

此次發(fā)布的eMMC存儲芯片，采用SMI最新基于LDPC ECC糾錯引擎的主控芯片，搭配長江存儲Xtacking架構第三代TLC 3D NAND閃存顆粒。產(chǎn)品覆蓋了64GB~512GB容量段，降低了存儲芯片成本，同時，在產(chǎn)品性能上亦得到進一步提升。
 

（128GB 樣品CrystalDiskmark測試截圖）


（128GB 樣品Androidbench測試截圖）

 

此次發(fā)布的eMMC產(chǎn)品搭載遵循onFI 4.1技術規(guī)范，VCCq支持1.2V電壓，擁有4 Plane的閃存架構，NAND最高速度可達1600MB/s，對比長江存儲的上一代3D NAND閃存顆粒，具有更高的I/O速度，更高的數(shù)據(jù)存儲密度，同時在功耗上做了進一步優(yōu)化。此款產(chǎn)品采用時創(chuàng)意自主算法的固件架構，并通過了5萬+次SPOR（異常掉電）測試、168小時高低溫老化測試和數(shù)據(jù)保持測試，以及一系列的其他嚴格標準測試，確保產(chǎn)品穩(wěn)定可靠，可以滿足手機、平板、物聯(lián)網(wǎng)、安防、智能穿戴等多個行業(yè)的市場應用和需求。