氮化鎵作為下一代半導體技術，其運行速度比傳統硅功率芯片快 20 倍。納微半導體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術，集成了氮化鎵功率場效應管（GaN Power[FET]）、驅動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。易于使用，是高速、高性能的“數字輸入、電源輸出”構建模塊。與早期的硅解決方案相比，在體積和重量縮小了一半的基礎上，充電速度提升高達 3 倍、節能高達 40%。

 

納微半導體以其設計，測試，特征化和認證的整體方法，實現了業內前所未有的，針對產品可靠性的20年有限質保。作為氮化鎵功率芯片的行業先驅、及JEDEC JC-70.1 氮化鎵標準委員會創始成員，納微半導體開發了專有的高速生產和質量認證測試，定義了氮化鎵可靠性的新標準。

 

納微半導體質量及可持續發展副總裁Anthony Schiro表示：“納微已實現超過4000萬顆芯片的出貨量，終端市場投入使用近1740億小時，氮化鎵相關的終端市場失效率為零，再加上58億等效器件小時測試，納微現已能夠為GaNFast氮化鎵功率芯片提供20年質保。正如納微在此前發布的可持續發展報告中提到，每顆氮化鎵功率芯片的使用可減少4公斤二氧化碳排放。因此市場越早普及氮化鎵的采用，對地球環保的貢獻就越大。至2050年，氮化鎵的使用有望每年最多減少26億噸二氧化碳排放。"

 

納微半導體作為消費類移動快充、超快充的行業領導者，客戶及旗下應用包括三星、戴爾、聯想、小米、OPPO、LG、摩托羅拉等。

 

納微擁有專門針對數據中心和電動汽車的設計中心。現有的高功率GaNFast功率芯片、及其優質量產水平和長期可靠性承諾，都為加快下一代氮化鎵技術普及起到了推動作用。

 

納微半導體首席執行官兼聯合創始人Gene Sheridan表示：“Enphase（太陽能）、Brusa（電動汽車）和Compuware（數據中心）等前沿客戶已認可氮化鎵在技術和環境方面都比傳統硅功率芯片更具優勢，他們也極為關注關鍵的，長期的可靠性表現。氮化鎵功率芯片FIT（Failure In Time）失效率僅為硅的六分之一，憑借20年有限質保，納微已在下一代半導體革命中居于領先。”

 

納微半導體20年期有限質保適用于所有量產與所有封裝的納微GaNFast氮化鎵功率芯片。詳情請詢相關條款和條件 ：https://navitassemi.com/terms-conditions/。

 

 

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）成立于2014年，是氮化鎵功率芯片的行業領導者。氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制和保護集成在一起，為移動設備、消費電子、企業、電動汽車和新能源市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。納微半導體擁有超過145項已經頒發或正在申請中的專利，超過4000萬顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片已經發貨，終端市場失效率為零。2021年10月20日，納微半導體敲響了納斯達克的開市鐘，并開始在納斯達克交易。

 

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