半導體產業網訊：據臺灣媒體報道，晶圓代工龍頭臺積電位于臺灣竹科寶山二期的2nm晶圓廠Fab 20建廠計劃已正式啟動。竹科管理局局長王永壯20日表示，竹科管理局已將部分用地租予臺積電，臺積電將可展開整地作業，估計最晚將于6月取得所有用地。另外，世界先進評估興建12吋廠且有意進駐銅鑼園區設廠，王永壯表示待環差案通過將進行用地分配。

 

王永壯表示，竹科寶山二期擴建計劃進展順利，經過幾十次溝通，已有超過九成的地主同意價購征收，新竹縣政府將于4月底公告征收，估計最晚將于6月取得所有用地。同時，管理局3月已將部分用地租予臺積電，臺積電可以展開整地作業。

 

臺積電此前已確定將在竹科寶山二期興建Fab 20超大型晶圓廠，未來在此生產2nm。

 

設備業者指出，臺積電Fab 20廠區將分為第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠，預計2024年下半年進入風險性試產，2025年進入量產。

據悉，臺積電將會在2nm工藝上采用GAA FET(全環繞柵極晶體管)，取代finFET (鰭式場效應晶體管)。目前三星為了和臺積電競爭，做法比較激進，將會在3nm工藝就用上GAA技術。而臺積電為了提供給客戶最成熟的技術、最好的效能及最佳的成本，保守的選擇finFET技術生產3nm工藝芯片。

 

臺積電2nm之后的更先進制程將進入埃米（angstorm）時代，業界預期，臺積電后續將推進到18埃米（1.8nm），但尚未決定設廠地點。設備業者評估，臺積電2nm需求強度若優于預期，竹科用地不足，將可能轉赴臺中建立2nm及18埃米等先進制程晶圓廠，中科二期用地已納入考慮。

 

臺積電去年進入2nm N2制程技術的開發階段，著重于測試載具設計與實作、光罩制作及硅試產等，主要進展在于提升基礎制程設定、晶體管與導線性能。在光刻技術部份，臺積電研發組織藉由提升晶圓良率達到可靠影像以支持3nm試產，并提升極紫外光（EUV）的應用、降低材料缺陷與增進平坦化的能力，以支持2nm技術的開發。