半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：4月22日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司發(fā)布2021 年年度報(bào)告，報(bào)告期內(nèi)，公司共實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入7.82億元，較上年同期增長(zhǎng)153.28%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)1.47億元，較上年同期增長(zhǎng)430.66%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)1.4億元，較上年同期增長(zhǎng)588.67%。報(bào)告期內(nèi)，公司所在的半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域景氣度持續(xù)向好，下游需求旺盛，同時(shí)，公司通過(guò)不斷深化與上下游優(yōu)秀合作伙伴的合作，持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，并不斷研發(fā)出更為優(yōu)秀的產(chǎn)品與技術(shù)。

 

公司主營(yíng)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)充電樁、通信電源、光伏逆變器、新能源車(chē)車(chē)載充電機(jī)、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、快速充電 器等領(lǐng)域。報(bào)告期內(nèi)，公司業(yè)績(jī)的持續(xù)增長(zhǎng)主要系受前述應(yīng)用領(lǐng)域需求增長(zhǎng)、產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大、新產(chǎn)品不斷推出及產(chǎn)品組合結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化等因素影響。

 

公司是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷(xiāo)售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品專(zhuān)注于工業(yè)及汽車(chē)相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。公司憑借優(yōu)秀的半導(dǎo)體器件與工藝創(chuàng)新能力，集中優(yōu)勢(shì)資源聚焦 新型功率器件的開(kāi)發(fā)，是國(guó)內(nèi)少數(shù)具備從專(zhuān)利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗(yàn)的高性能功率器件設(shè)計(jì)公司之一，并在應(yīng)用于工業(yè)級(jí)及汽車(chē)級(jí)領(lǐng)域的高壓超級(jí)結(jié) MOSFET、中低壓功率器件等產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化替代。此外，公司基于自主專(zhuān)利技術(shù)開(kāi)發(fā)出650V、1200V及1350V等電壓平臺(tái)的多種TGBT器件，已批量進(jìn)入光伏逆變、儲(chǔ)能、直流充電樁、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域的多個(gè)頭部客戶(hù)。

 

公司的主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET、以及TGBT系列IGBT產(chǎn)品。公司的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于以新能源汽車(chē)直流充電樁、車(chē)載充電機(jī)、5G 基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、儲(chǔ)能和光伏逆變器、UPS 電源和工業(yè)照明電源為代表的工業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域，以及以PC電源、適配器、TV電源板、手機(jī)快速充電器為代表的消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域。

 

報(bào)告期內(nèi)，公司功率器件成品營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng) 146.81%，營(yíng)業(yè)成本同比增長(zhǎng) 115.55%，毛利率增加10.40個(gè)百分點(diǎn)；晶圓營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)192.83%，營(yíng)業(yè)成本增長(zhǎng)145.36%，毛利率增加13.40個(gè)百分點(diǎn)。主要系受新能源汽車(chē)充電樁、通信電源、光伏逆變器、新能源汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域需求增長(zhǎng)、產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大、新產(chǎn)品不斷推出及產(chǎn)品組合結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化等因素所致。

 

報(bào)告期內(nèi)，公司進(jìn)一步加大對(duì)新產(chǎn)品與新技術(shù)研發(fā)的投入力度，持續(xù)優(yōu)化8英寸與12英寸芯片代工平臺(tái)的產(chǎn)品布局，取得較好成效。截止報(bào)告期末，公司共計(jì)擁有產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)1790余款，包括高壓超級(jí)結(jié) MOSFET產(chǎn)品（包括超級(jí)硅 MOSFET）1100款，中低壓SGT產(chǎn)品641款，IGBT產(chǎn)品52款。

 

對(duì)于公司的發(fā)展，公司始終專(zhuān)注于工業(yè)及汽車(chē)相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域，是少數(shù)具備從專(zhuān)利到產(chǎn)品量產(chǎn)完整經(jīng) 驗(yàn)的功率器件設(shè)計(jì)公司之一。公司領(lǐng)先的功率器件和工藝創(chuàng)新能力已在工業(yè)級(jí)高壓超級(jí)結(jié) MOSFET產(chǎn)品和中低壓MOSFET器件產(chǎn)品領(lǐng)域得到了充分的驗(yàn)證。未來(lái)，公司將持續(xù)聚焦創(chuàng)新 型高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，致力于成為國(guó)際領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商。

 

作為國(guó)內(nèi)最早在12英寸晶圓產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司之一，公司將進(jìn)一步利用平臺(tái)優(yōu)勢(shì)提高現(xiàn)有產(chǎn)品的性能。在高壓MOSFET方面，公司將延續(xù)高壓超級(jí)結(jié) MOSFET產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì)，充分利用12英寸先進(jìn)制程工藝，進(jìn)一步提升產(chǎn)品動(dòng)態(tài)性能，優(yōu)化一致性和穩(wěn)定性，降低單位面積導(dǎo)通電阻，并加速擴(kuò)大產(chǎn)品在工業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)份額，取代更多的進(jìn)口品牌的份額，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)高端、高速功率器件產(chǎn)品的自主可控。在中低壓MOSFET方面，公司將擴(kuò)大已有產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，并在12英寸制程開(kāi)發(fā)國(guó)際領(lǐng)先的產(chǎn)品，滿足客戶(hù)在低功耗、高功率密度領(lǐng)域的需求。在IGBT方面，公司計(jì)劃充分發(fā)揮自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，達(dá)到甚至超過(guò)國(guó)際先進(jìn)產(chǎn)品的性能，借此在高端應(yīng)用領(lǐng)域替換國(guó)外產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)高端應(yīng)用的國(guó)產(chǎn)化。